Понятие и классификация дефектов в кристаллах: энергетические, электронные и атомные. Основные несовершенства кристаллов, образование точечных дефекто, их концентрация и скорость перемещения по кристаллу. Диффузия частиц за счет движений вакансий.
Всякий реальный кристалл не имеет совершенной структуры и обладает рядом нарушений идеальной пространственной решетки, которые называются дефектами в кристаллах. Дефекты в кристаллах подразделяют на нульмерные, одномерные и двумерные. По формуле Больцмана равновесная концентрация вакансий пв в кристалле при данной температуре (Т) определится так: (1.1) где п - число атомов в единице объема кристалла, е - основание натуральных логарифмов, k - постоянная Больцмана, Ев - энергия образования вакансий. Уже под влиянием такого напряжения дислокация будет перемещаться в кристалле, пока не встретит какого-либо препятствия, которым может быть граница зерна, другая дислокация, атом внедрения и т. д. Такое большое снижение прочности кристалла нельзя объяснить уменьшением рабочей площади поперечного сечения образца за счет пор, каверн и микротрещин, так как при ослаблении прочности в 1000 раз каверны должны были бы занимать 99,9% площади поперечного сечения кристалла.
Список литературы
1. Киттель Ч. Введение в физику твердого тела./ Пер. с англ.; Под ред. А. А. Гусева. - М.: Наука, 1978.
2. Епифанов Г.И. Физика твердого тела: Учеб. пособие для втузов. - М.: Высш. школ, 1977.
3. Жданов Г.С., Хунджуа Ф.Г., Лекции по физике твердого тела - М: Изд-во МГУ, 1988.
4. Бушманов Б. Н., Хромов Ю. А. Физика твердого тела: Учеб. пособие для втузов. - М.: Высш. школ, 1971.
5. Кацнельсон А.А. Введение в физику твердого тела - М: Изд-во МГУ, 1984.
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
