Дослідження особливостей дефектоутворення в кремнії внаслідок дії опромінення швидкими електронами за наявності ізовалентних домішок олова та вуглецю, які створюють локальні деформації протилежного знаку. Описання процесів радіаційного дефектоутворення.
При низкой оригинальности работы "Дефектно-домішкова взаємодія в кремнії, легованому ізовалентними домішками", Вы можете повысить уникальность этой работы до 80-100%
Внутрішні локальні деформації можуть суттєво впливати на процеси дефектно-домішкової взаємодії як при вирощуванні кристалу, так і при різноманітних зовнішніх впливах (іонізуючі опромінення, термообробки та ін.). В полі пружних деформацій може відбуватись зміна процесів дифузії домішок і дефектів, крім того, атоми ІВД можуть безпосередньо взаємодіяти з точковими дефектами, цим самим змінюючи канали дефектно-домішкової взаємодії. Як правило, ІВД, ковалентний радіус яких менший за ковалентний радіус атомів ґратки (наприклад, C в Si або Si в Ge), взаємодіють з міжвузельними атомами, а ІВД, ковалентний радіус яких більший за радіус атомів ґратки (Ge або Sn в Si, Sn в Ge), впливають на реакції, які протікають за участю вакансій. Так, ефективна взаємодія олова та германію в кремнії з вакансіями приводить до зниження ефективності утворення при опроміненні радіаційних дефектів, які містять вакансії. Наприклад, завдяки здатності домішкових атомів Sn в Si утримувати вакансії у звязаному стані в діапазоні температур до 170 °С, легування кремнію оловом може використовуватись для вивчення властивостей широкого спектру дефектів, до складу яких входять вакансії.Атоми C в Si, радіус яких менший за радіус атомів матриці, створюють деформації стиску, тому взаємодіють з власними міжвузлями кремнію (I) і при цьому, згідно з механізмом Воткінса [5], виштовхуються ними ж в міжвузельне положення I CS ® SIS CI, впливаючи таким чином на канал реакцій з участю міжвузельних атомів. дефектоутворення кремній ізовалентний олово В кремнії, вирощеному за методом Чохральського, домінуючими стоками для CI є міжвузельний кисень (OI) та вузловий вуглець (CS), при взаємодії з якими утворюються центри CIOI та CICS у відповідності з реакціями: CI OI ® CIOI, CI CS ® CICS. Дослідження процесу від палу CI в Si:Sn показали, що на відміну від Si лінії поглинання центрів CIOI та CICS в межах чутливості методики не реєструються. Дослідження термічної трансформації спектрів поглинання Si:Sn показали, що при ізохронному відпалі поведінка виявлених груп ліній 888.9, 985.3 і 6915 см-1 (ДЛ-1), та 873.5, 1025.3 і 6875 см-1 (ДЛ-2), є ідентичною, що свідчить про належність кожної з них одному центру. Існування двох груп ліній поглинання, повязаних з центрами CISNS, в даній роботі пояснюється існуванням двох структурних конфігурацій таких центрів, які мають різну термічну стабільність.
План
ОСНОВНИЙ ЗМІСТ РОБОТИ
Список литературы
1. Khirunenko L. I., Kobzar O. A., Pomozov Yu. V., Sosnin M. G., Tripachko N. A., Markevich V. P., Murin L. I., Peaker A. R. Defect-impurity interactions in irradiated tin-doped Cz-Si crystals. // Phys. Stat. Sol. - 2003. - N. 2. - Р. 694 - 697.
2. Хируненко Л. И., Кобзарь О. А., Помозов Ю. В., Соснин М. Г., Трипачко Н. А. Влияние олова на реакции, протекающие с участием межузельного углерода в облученном кремнии. // ФТП. - 2003. - T. 37, В. 3. - С. 304 - 309.
3. Khirunenko L. I., Kobzar O. O., Pomozov Yu. V., Sosnin M. G., Tripachko M. O. Peculiarities of vacancy-related defects formation in Si doped with tin. // Physica B. - 2003. - V. 340 - 342. - Р. 541 - 545.
4. Khirunenko L. I., Kobzar O. O., Pomozov Yu. V., Sosnin M. G., Tripachko M. O., Abrosimov N. V., Riemann H. Interstitial-related reactions in silicon doped with isovalent impurities. // Physica B. - 2003. - V. 340 - 342. - Р. 546 - 550.
5. Khirunenko L. I., Kobzar O. O., Pomozov Yu. V., Sosnin M. G., Tripachko M. O., Abrosimov N. V., Riemann H. Interstitial-related radiation defects in silicon doped with tin and germanium. // Solid State Phenomena. - 2004. - V. 95 - 96. - P. 393 - 398.
6. Хируненко Л. И., Кобзарь О. А., Помозов Ю. В., Соснин М. Г., Трипачко Н. А. Радиационное дефектообразование в кремнии, легированном оловом. // Тезисы 3-й Российской конференции по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе (Кремний - 2003), М.: МИСИС, 2003, с. 153 - 154.
7. Khirunenko L. I., Kobzar O. O., Pomozov Yu. V., Sosnin M. G., Tripachko M. O. Peculiarities of vacancy-related defects formation in Si doped with tin. // Materials of The 22-nd International Conference on Defects in Semiconductors (July 28 - August 1, 2003). - Aarhus, Denmark. - 2003.
8. Khirunenko L. I., Kobzar O. O., Pomozov Yu. V., Sosnin M. G., Tripachko M. O., Abrosimov N. V., Riemann H. Interstitial-related reactions in silicon doped with isovalent impurities. // Materials of The 22-nd International Conference on Defects in Semiconductors (July 28 - August 1, 2003). - Aarhus, Denmark. - 2003.
Список використаних джерел
1. Баженов В. К., Фистуль В. И. Изоэлектронные примеси в полупроводниках. Состояние проблемы. // ФТП. - 1984. - Т. 18. - В. 8. - С. 1345 - 1362.
2. Стоунхэм А. М. Теория дефектов в твердых телах. / Пер. с англ. Бразовского С. А., Кировой Н. Н., Копнина Н. Б. - М.: Мир, 1978. - Т. 2. - 360 с.
3. Watkins G. D. A microscopic view of radiation damage in semiconductors using EPR as a probe. // Trans. IEEE. - 1969. - V. NS-16. - N 6. - P. 13 - 18.
4. Watkins G. D. Defects in irradiated silicon: EPR of the tin-vacancy pair. // Phys. Rev. B. - 1975. - V. 12. - N 10. - P. 4383 - 4390.
5. Watkins G. D., Brower K. L. EPR observation of the isolated interstitial carbon atom in silicon. // Phys. Rev. Lett. - 1976. - V. 36. - N 22. - P. 1329 - 1332.
6. Lavrov E. V., Fanciulli M. Interstitial carbon-substitutional tin center in silicon (?). // Physica B. - 2001. - V. 302 - 303. - P. 263 - 267.
7. Lavrov E. V., Fanciulli M., Kaukonen M., Jones R., Briddon P. R. Carbon-tin defects in silicon. // Phys. Rev. B. - 2001. - V. 64. - P. 125212.
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
