Defect concentration in clusters, created by fast-pile neutrons in n-Si (FZ, Cz) - Статья

бесплатно 0
4.5 80
Calculation of the concentration of defects on the doping level for the average cluster in n-Si. It is shown that the concentration of defects for the average cluster is in inverse proportion to the square of the radius of the cluster model Gossick"s.

Скачать работу Скачать уникальную работу

Чтобы скачать работу, Вы должны пройти проверку:



Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность
своей работы


Новые загруженные работы

Дисциплины научных работ





Хотите, перезвоним вам?