Дослідження структури ближнього порядку аморфних сплавів систем Ga-Te, In-Te, Si-Te, отриманих методом спінінгування розплаву. Розрахунок температури Дебая та динамічного зміщення атомів. Оцінка ближнього порядку в аморфних сплавах на основі телуру.
Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича Автореферат дисертації на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук Спеціальність: 01.04.07 - фізика твердого тіла Ближній порядок в аморфних сплавах на основі телуру Цалий Володимир Зіновійович Чернівці 2001 Дисертацією є рукопис Робота виконана в Чернівецькому національному університеті імені Юрія Федьковича на кафедрі загальної фізики. Науковий керівник: доктор фізико-математичних наук, професор Венгренович Роман Дмитрович, Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, завідувач кафедри загальної фізики. Висока прозорість у ІЧ-області оптичного спектра, фотопровідність, чутливість до таких зовнішніх впливів, як іонізуюче випромінювання, світло, тиск, температура, стабільність властивостей в умовах високих доз радіації, простота і дешевизна технологічних процесів отримання служать стимулюючим фактором до вивчення, розширення класу і методів отримання ХСН. Підтвердження ідеї А.Ф.Йоффе про вирішальну роль саме ближнього порядку у формуванні основних властивостей напівпровідникових матеріалів, у випадку ХСН, отриманих з рідкої фази, вимагає знання структури вихідних розплавів. Проведені за останнє десятиріччя дослідження засвідчили, що у ХСН, крім кореляції в межах кількох перших координаційних сфер, існують області певного впорядкування розміром 20 - 30 A (середній порядок), що також впливає на комплекс фізичних властивостей і, відповідно, визначення розмірів таких областей є задачею актуальною. Крім того, отримання аморфних матеріалів у сильно нерівноважних умовах призводить до виникнення великої кількості пор і порожнин, що відображається на щільності пакування атомів і, відповідно, на параметрах ближнього порядку. Метою даної роботи є встановлення структури ближнього порядку аморфних телуридів, отриманих методом спінінгування розплаву і її взаємозв’зку з термічною стабільністю матеріалів і деякими структуро - чутливими властивостями. Використовуючи прямі (рентгено-дифракційні) методи дослідження структури, визначити параметри ближнього порядку стекол систем Ga-Te, In-Te та Si-Te. У системі In-Те вперше виявлено нові метастабільні фази і встановлено температурно-концентраційні умови їх існування. В якості вихідних компонентів використовувальсь Te (TB - 4), Ga (000), In (ИН - 00), Si (000). Відзначено, що в системі Ga-Te для отримання аморфного стану необхідні перегріви розплаву на 30-500, оскільки матеріали, отримані гартуванням від температур ліквідусу були електроно-аморфнокристалічні. Результати ДТА аморфних сплавів та їх електронографічних дослід-жень закристалізованих стрічок засвідчили, що концентраційна залежність температури склування (Tg), температури, при якій відбувається розморо-жування зв’язків, що лімітують в’язку течію великих структурних одиниць (СО) і, відповідно, основного критерію термічної стабільності, описується рівняннями: Tg(x)=283,5 6,90x для х?20, та Tg(x)=306,5 5,74x для х?25 ат.% Ga і отримане значення Tg для чистого Те (283,5К) узгоджується з наведеним в [1] (285К).
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
