Принцип действия биполярного транзистора. Возникновение коэффициента усиления по напряжению с учётом конкретных схем включения транзистора: с общим эмиттером (ОЭ), с общим коллектором (ОК) и с общей базой (ОБ). Таблица сравнительных данных по этим схемам.
ЛЕКЦИЯ 4 Биполярные транзисторы На прошлой лекции мы рассмотрели работу одного р-п перехода (диода). (В принципе может быть и наоборот: р-, п-, р-; все рассуждения относительно такого транзистора будут одинаковы, различие только в полярностях напряжений, такой транзистор называется р-п-р, а мы для простоты будем рассматривать п-р-п, изображённый на рис.) Итак, на рис. 1. изображены три слоя: с электронной электропроводностью, причём сильной, что обозначает плюс - эмиттер, дырочной - база, и снова электронной, но более слабо легированной (концентрация электронов самая малая) - коллектор. Толщина базы, т.е. расстояние между двумя р-п переходами, равное Lб , очень мала.
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
