Молекулярно-лучевое эпитаксиальное (МЛЭ) наращивание на подложке монокристаллических слоев полупроводниковых веществ. Атомно-силовой микроскоп: сфера применения, пошаговое объяснение и теоретическое обоснование порядка его настройки и подготовки образцов.
Многочисленные АСМ исследования морфологии ростовых поверхностей и сколов структур позволяют получить богатую информацию, важную для совершенствования технологий и оптимизации свойств создаваемых структур. В данной работе внимание будет обращено к методу АCМ: · Описание атомно-силового микроскопа (АCМ); · Пошаговая инструкция по работе с АСМ; · Пример АСМ изображений образцов: Кобальт эпитаксиальных наночастиц на CaF2/Si (111) при разных методах осаждения СО. 1. Молекулярно-лучевое эпитаксиальное (МЛЭ) [1] наращивание на подложке монокристаллических слоев полупроводниковых веществ заключается в осаждении испаренных компонентов на нагреваемую монокристаллическую подложку с одновременным взаимодействием между ними. В такой камере были выращены образцы, которым будет посвящена эта курсовая работа. Изначально, готовится основа, т.е. кремниевые пластинки: u Исходный материал режется на площадки (1см*2см) - подложки; u Проходит физическую очистку; u Проходит химическую обработку в несколько этапов. u Отжигание при температуре 1200 ? C для удаления азота; В свою очередь, вакуумная камера (РИС 2) тоже проходит несколько этапов подготовки к работе: u проверка физического состояния (болты, крепёж, провода, контакты …); u проверка электронного обеспечения; u откачка воздуха и всех составляющих из камеры; В результате получается камера со сверхвысоким вакуумом. В готовую камеру загружается образец и методом МЛЭ на подложках Si (111) наращивается слой CAF2 .
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
