Влияние отражения фотоносителей от освещаемой поверхности на фото-ЭДС, генерируемую определенным образцом. Влияние микрорельефа поверхности тонких пленок на реактивную фото-ЭДС. Разработка и объяснение нового механизма возникновения АФН-эффекта.
При низкой оригинальности работы "Аномально большие фотонапряжения в полупроводниковых пленках обусловленные реактивной фотоЭДС", Вы можете повысить уникальность этой работы до 80-100%
АНОМАЛЬНО БОЛЬШИЕ ФОТОНАПРЯЖЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛЕНКАХ ОБУСЛОВЛЕННЫЕ РЕАКТИВНОЙ ФОТОЭДС ГУЛЯМОВ Г., БОЙДЕДАЕВ С.Р., ДАДАМИРЗАЕВ М.Г., Фотоэдс, возникающая при освещении полупроводника, в основном объясняют разделением пар свободных носителей, возникающих при фотогенерации связанных с неоднородностью либо кристалла, либо освещения [1]. Однако, имеются другие фотогальванические эффекты обусловленные эффектом увлечения, баллистическим фототоком, реактивным фотоэдс и др [4, 5, 6]. В настоящей работе рассмотрим влияние отражения фотоэлектронов от поверхности на фотоэдс в тонких пленках. Оценим величину ЭДС, обусловленную носителями отраженными от поверхности.
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
