Анализ характеристик усилителей на резонансно-туннельных диодах с помощью метода медленно меняющихся амплитуд при больших сигналах и при работе на частотах, близких к резонансной. Зависимости относительной полосы пропускания от параметров схемы усилителя.
Южный федеральный университет, Ростов-на-Дону Анализ усилителей СВЧ на резонансно-туннельных диодах Е.Н. Осадчий Аннотация В работе проанализированы характеристики усилителей на резонансно-туннельных диодах (РТД) с помощью метода медленно меняющихся амплитуд при больших сигналах и при работе на частотах, близких к резонансной. Эквивалентная схема усилителя на РТД На эквивалентной схеме для усилителя на отражение , , а для усилителя на проход и , при этом - волновое сопротивление линии; L - суммарная индуктивность РТД и настроечной индуктивности; r и С - сопротивление потерь и емкость РТД; i (u) - переменный ток через РТД. Стационарный режим усилителя на РТД можно достаточно полно описать амплитудно-частотными характеристиками (АЧХ) [5, 6] , полученными при исключении из выражений (3) и (4) фазы при условии .
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
