Аналіз спектрів модуляційного фотовідбивання епітаксійних плівок LT–GaAs, LT – (Ga, Mn) As - Курсовая работа

бесплатно 0
4.5 153
Дослідження функцій, які описують спектри модуляційного фотовідбивання; експериментально отримано спектри модуляційного фотовідбивання для епітаксійних плівок; засобами пакету MatLab апроксимовано експериментальні спектри відповідними залежностями.


Аннотация к работе
Аналіз спектрів модуляційного фотовідбивання епітаксійних плівок LT-GaAs, LT - (Ga, Mn) As 1. Теоретичні підстави методу модуляційного фотовідбивання Відбивна здатність напівпровідника перебуває у деякій залежності від діелектричної функції [23] , спектр фотовідбивання плівка модуляційний де - діелектрична функція, - її дійсна і уявна частини відповідно. Замінивши в цій формулі функцію функціє зможемо формально записати або . 283] (1.1), де - так звані коефіцієнти Серафина. 288] будемо вважати, що модуляційне випромінювання модулює в напівпровіднику однорідне електричне поле з напруженістю F (напруженість поля позначаємо F, щоб не плутати її з енергією фотонів E). Зауважимо, що під час дослідження епітаксійних плівок арсеніду галію Генцарь П.О. в [5] послуговувався формулою (2.4).
Заказать написание новой работы



Дисциплины научных работ



Хотите, перезвоним вам?