При низкой оригинальности работы "Аналіз спектрів модуляційного фотовідбивання епітаксійних плівок LT–GaAs, LT – (Ga, Mn) As", Вы можете повысить уникальность этой работы до 80-100%
Аналіз спектрів модуляційного фотовідбивання епітаксійних плівок LT-GaAs, LT - (Ga, Mn) As 1. Теоретичні підстави методу модуляційного фотовідбивання Відбивна здатність напівпровідника перебуває у деякій залежності від діелектричної функції [23] , спектр фотовідбивання плівка модуляційний де - діелектрична функція, - її дійсна і уявна частини відповідно. Замінивши в цій формулі функцію функціє зможемо формально записати або . 283] (1.1), де - так звані коефіцієнти Серафина. 288] будемо вважати, що модуляційне випромінювання модулює в напівпровіднику однорідне електричне поле з напруженістю F (напруженість поля позначаємо F, щоб не плутати її з енергією фотонів E). Зауважимо, що під час дослідження епітаксійних плівок арсеніду галію Генцарь П.О. в [5] послуговувався формулою (2.4).
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
