Характеристика полупроводников. История развития транзисторных технологий. Характеристика химической связи в аморфных полупроводниках. Общая характеристика оптических спектров поглощения аморфных полупроводников. Структура связей аморфного кремния.
Край собственного оптического поглощения Дадим краткий обзор экспериментальных данных по спектрам оптического межзонного поглощения в аморфных полупроводниках. Координационное число атомов Si в сетках a-Si: H Рис. 3. Зависимость плотности (d), первого координационного числа (КЧ1), первого координационного расстояния (R1) и оптической ширины запрещенной зоны (L0) от концентрации водорода в TP-a-Si:H (белые кружки) и PP-a-Si.H (тёмные кружки). Ученые исследовали атомную структуру a-Si: Н, полученную плазменным осаждением. Сравнение значений КЧ1 в пленках a-Si:Н, полученных методом разложения чистого силана в тлеющем разряде (TP-a-Si:H), и в a-Si:H, полученном методом реактивного распыления кремниевой мишени в газовой смеси Ar-H2 (PP-a-Si: Н), в зависимости от содержания в a-Si: Н атомов водорода, видно на рисунке. Первое координационное расстояние в обоих случаях остается неизменным.
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
