Параметры моделей биполярных транзисторов. Схема замещения биполярного транзистора в программе МС7. Характеристика арсенид-галлиевого полевого транзистора. Модель полевого транзистора с управляющим p-n переходом, МОП-транзисторы и операционные усилители.
1. Биполярный транзистор (Bipolar transistor - BJT) 2. Арсенид-галлиевый полевой транзистор (GaAsFET) 3. Полевой транзистор (JFET) 4. МОП-транзистор (MOSFET) 5. Операционный усилитель (ОРАМР) Заключение Список литературы Введение В программе МС7 используются в большинстве случаев (за исключением модели нелинейного магнитного сердечника) те же математические модели полупроводниковых приборов, что и программа PSpice. При необходимости полную информацию по моделям активных приборов (включая и формулы по которым производится расчет при моделировании), можно взять из (на русском языке) и из (на английском языке, есть файл в формате pdf). Появился также фрагмент перевода на русский, касающийся моделей активных приборов. 1. Биполярный транзистор (Bipolar transistor - BJT) Формат схем МС7: Атрибут PART: Атрибут VALUE: [Area] [OFF] [IC=[,Vce]] Атрибут MODEL: [имя модели] Модели биполярных транзисторов задаются в виде .MODEL NPN [(параметры модели)] .MODEL PNP [(параметры модели)] Параметр Area задает коэффициент к
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
