Effect of the segregation of electrically active dopants. Diffusion theory of the hole current. Polysilicon emitter contacts and its dependence on dopant concentration. Hole mobility versus grain size for two values of the total dopant concentration.
Аннотация к работе
Article: A model for minority carrier mobility in polysilicon emitters Loiko Konstantin Valeryevich УДК 531 МОДЕЛЬ ПОДВИЖНОСТИ НЕОСНОВНЫХ НОСИТЕЛЕЙ В ПОЛИКРЕМНИЕВЫХ ЭМИТТЕРАХ Лойко Константин Валерьевич Ph.D. Freescale Semiconductor, Остин, Техас, США Разработана модель подвижности неосновных носителей в поликремниевых эмиттерных контактах.