Effect of the segregation of electrically active dopants. Diffusion theory of the hole current. Polysilicon emitter contacts and its dependence on dopant concentration. Hole mobility versus grain size for two values of the total dopant concentration.
При низкой оригинальности работы "A model for minority carrier mobility in polysilicon emitters", Вы можете повысить уникальность этой работы до 80-100%
Article: A model for minority carrier mobility in polysilicon emitters Loiko Konstantin Valeryevich УДК 531 МОДЕЛЬ ПОДВИЖНОСТИ НЕОСНОВНЫХ НОСИТЕЛЕЙ В ПОЛИКРЕМНИЕВЫХ ЭМИТТЕРАХ Лойко Константин Валерьевич Ph.D. Freescale Semiconductor, Остин, Техас, США Разработана модель подвижности неосновных носителей в поликремниевых эмиттерных контактах.
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
