Вивчення зонної структури напівпровідників. Поділ речовин на метали, діелектрики та напівпровідники, встановлення їх основних електрофізичних характеристик. Введення поняття дірки, яка є певною мірою віртуальною частинкою. Вплив домішок на структуру.
Аннотация к работе
Поняття напівпровідників. Рівняння Шредінгера для кристала. Зонний характер енергетичних спектрів електронів в кристалі. Зони Бріллюена. 4.1. Поняття про зони Бріллюена. 4.2. Приведені зони. 4.3. Домішкові рівні у напівпровідниках. 7.1. Акцепторні рівні. 7.3. Рівні прилипання. 6.4. Для створення напівпровідникових виробів потрібно мати розвинуту промисловість, адже потрібно виготовляти чисті кристали кремнію та германію, вміст домішок у яких буде надзвичайно малим ( до 10-10 ). У металів він знаходиться в межах 10-6 - 10-4 Ом∙см (наприклад, питомий опір срібла при кімнатній температурі складає 1,58∙10-6 Ом∙см, сплав ніхром має питомий опір 1,05∙10-4 Ом∙см). Для них, як видно з графіка температурної залежності питомої провідності, наведеного на рисунку 1.1. характерна наявність позитивного температурного коефіцієнта питомої провідності, тобто: >0, (1.3) Рис. 1.1. Рівняння Шредінгера для кристала Тверде тіло, як відомо, складається з атомів, тобто з ядер атомів і електронів. Тому для визначення стаціонарних станів і енергетичного спектру сукупності більшого числа атомних ядер і електронів в кристалі потрібно розвязати рівняння Шредінгера: ĤΨ=- ЕΨ (2.1), де Ĥ - гамільтоніан кристала; Ψ - власна хвилева функція гамільтоніана; Е - енергія кристала.