Зонна структура, хімічний зв’язок та оптичні властивості напівпровідникових твердих розчинів заміщення GaxIn1-xP, InAsxSb1-x, InSb1-хВіх - Автореферат

бесплатно 0
4.5 232
Вплив внутрішніх локальних деформацій та композиційної невпорядкованості на основні міжзонні віддалі потрійних розчинів заміщення GaxIn1-xP, InAsxSb1-x та InSb1-хBiх. Перебудова оптичних функцій сплавів у залежності від концентрації х і вплив деформацій.


Аннотация к работе
Зокрема, сплави GAXIN1-XP викликають підвищений інтерес у звязку з їхнім використанням у світловипромінюючих діодах, напівпровідникових інжекційних лазерах, біполярних транзисторах на гетеропереходах і транзисторах з високою електронною рухливістю, які показують кращі характеристики в порівнянні з GAAS [1]. Вузькощілинні тверді розчини заміщення INASXSB1-x мають найменшу ширину забороненої зони серед усіх AIIIBV напівпровідників та їх сплавів. Як показують експериментальні дослідження, вищевказані сплави мають структуру цинкової обманки, причому підгратка, що містить атоми двох типів, структурно близька до віртуального кристала і задовольняє закон Вегарда, а інша підгратка, що містить атоми одного типу, сильно деформована, так, що відстані до найближчих сусідніх атомів сильно залежать від складу розчину. Так, еволюція зарядової густини верхніх валентних зон, полярності та поперечного ефективного заряду зі зміною складу твердих розчинів може дати реальну картину впливу різноманітних сплавних ефектів на характер хімічного звязку, а відтак і на пружні властивості кристалів. Роль автора у виконанні науково-дослідних робіт полягала в дослідженні електронної зонної структури, хімічного звязку та оптичних властивостей напівпровідникових твердих розчинів заміщення GAXIN1-XP, INASXSB1-x, INSB1-ХВІХ та плівок на їх основі.У вступі обґрунтовано актуальність теми дослідження, сформульовані мета та завдання дисертаційної роботи, висвітлено її наукове і практичне значення, подано інформацію про апробацію роботи, публікації автора.Композиційна невпорядкованість проявляється, коли атом одного сорту займає місце атома іншого сорту, розташованого в іншій гранецентрованій підгратці, та може бути врахована доповненням псевдопотенціалу відповідним періодичним доданком, який у потрійних розчинах заміщення типу AXB1-XC набуває вигляду: (2) де b - коефіцієнт, що має фізичний зміст імовірності утворення композиційної невпорядкованості при х=0.5, та - антисиметричні формфактори бінарних сполук AC та BC відповідно, = (a/8) [1, 1, 1,], а - постійна ґратки. Було розглянуто методику врахування впливу внутрішніх локальних деформацій, що виникають в потрійних розчинах заміщення за рахунок різних довжин звязку між атомами в базових бінарних сполуках АС та ВС [7]. Врахування внутрішніх локальних деформацій, що виникають у невпорядкованих системах, слабо змінює композиційну залежність прямозонної сполуки. Слабкий вплив внутрішніх локальних деформацій на композиційну залежність прямозонного твердого розчину можна пояснити тим, що згідно з VCA, при невеликій зміні концентрації х міжзонна віддаль, а отже, і формфактори твердого розчину, змінюються сильно, тоді, як доданок, що враховує вплив внутрішніх локальних деформацій, незначний, тому відносний вплив його на ширину забороненої зони набагато менший. (крива 1), VCA слабо змінює ширину забороненої зони в цьому інтервалі, тому вклад доданка, що враховує вплив внутрішніх локальних деформацій, стає відчутним (рис.

План
Основний зміст роботи
Заказать написание новой работы



Дисциплины научных работ



Хотите, перезвоним вам?