Встановлення дії структурних дефектів росту на транспортні процеси та механізми розсіювання носіїв струму в тонких плівках халькогенідів свинцю. Вплив міжфазних і міжзеренних меж та дислокацій невідповідностей на механізми розсіювання носіїв струму.
Аннотация к работе
У зазначених проектах дисертант брав участь у виконанні технологічних робіт, повязаних із вирощуванням плівок, дослідженням їх електричних властивостей та механізмів розсіювання носіїв заряду. Мета дисертаційної роботи полягає у встановленні впливу міжфазних меж ("вільна поверхня", контакт "плівка-підкладка"), структурних дефектів росту (міжзеренні межі, дислокації невідповідностей) на транспортні процеси та механізми розсіювання носіїв струму в тонких плівках халькогенідів свинцю. проведення післяростових технологічних процесів: відпали плівок у вакуумі та атмосфері кисню; Вперше досліджено і визначено вплив дифузного і дзеркального механізмів розсіювання на міжфазних межах - "вільна поверхня" плівки, контакт "плівка - підкладка" у монокристалічних, мозаїчних і полікристалічних плівках халькогенідів свинцю. Дисертантом також разом із науковим керівником вибрано і запропоновано моделі фізико-хімічних процесів які відбуваються в тонких плівках [4,7,9,19], розроблено компютерні програми розрахунку електричних параметрів плівок при реалізації різних механізмів розсіювання [4,7,16].У першому розділі "Фізико-хімічні властивості і механізми розсіювання носіїв струму у кристалах і плівках халькогенідів свинцю" зроблено огляд літературних джерел з питань фазових діаграм рівноваги, фізико-хімічних властивостей та механізмів розсіювання носіїв струму в кристалах і плівках халькогенідів свинцю. Плівки отримували методом гарячої стінки осадженням у вакуумі парової фази на підкладках із кристалів фтористого барію орієнтації (111), сколах слюди (0001), поліамідній стрічці ПМ-1, полірованому склі при температурі осадження ТП = (400-620) К. У третьому розділі "Міжфазні межі і неоднорідності електричних параметрів у тонких плівках халькогенідів свинцю" у рамках двошарової моделі Петріца і визначення розподілу кінетичних коефіцієнтів за товщиною виявлено і встановлено природу утворення неоднорідностей електричних властивостей як у свіжовирощених, так і відпалених у вакуумі та атмосфері кисню плівках халькогенідів свинцю. У плівках р-типу провідності має місце конверсія провідності у приповерхній області і утворення двошарової р-n-структури, параметри якої визначаються температурою і часом відпалу. Таким чином, неоднорідність електричних параметрів плівок за товщиною слід обовязково враховувати для адекватного опису експериментальних результатів, оскільки визначені з вимірювань ефекту Холла і електропровідності, концентрація і рухливість носіїв струму є деякими усередненими величинами, що залежать від профілю розподілу за товщиною власних нестехіометричних дефектів.
План
2. Основний зміст роботи
Список литературы
1. Фізико-хімічні проблеми напівпровідникового матеріалознавства. Кристали AIVBVI. Том. І. / Д.М. Фреїк, В.Ф. Пасічняк, В.В. Борик, Б.С. Дзундза, О.Л. Соколов [За заг. ред. Д.М. Фреїка]. - Івано-Франківськ: Видавничо-дизайнерський відділ ЦІТ Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника, 2007. - 352 с. (Особ. вн.: брав участь в підготовці і систематизації матеріалу до другого розділу "Точкові дефекти і фізико-хімічні властивості телуриду свинцю та його аналогів").
2. Фреїк Д.М. Кристалохімія точкових дефектів і технологічні аспекти кристалів і плівок сполук AIVBVI (огляд) / Д.М. Фреїк, Л.Й. Межиловська, О.В. Ткачик, Б.С. Дзундза // Фізика і хімія твердого тіла. - 2006. - Т.7, №4. - С. 617-628. (Особ. вн.: брав участь в підготовці і систематизації матеріалу з питань фізико-хімічних властивостей плівок сполук AIVBVI).
3. Фреїк Д.М. Особливості розсіювання носіїв заряду в епітаксійних структурах на основі халькогенідів свинцю / Д.М. Фреїк, В.Ф. Пасічняк, О.Л. Соколов, Б.С. Дзундза // Фізика і хімія твердого тіла. - 2004. - Т.5, №3. - С. 401-403. (Особ. вн.: виконано аналіз робіт з питань впливу механізмів розсіювання на властивості плівок, експериментальні дослідження епітаксійних структур. Розділено вплив розсіювання носіїв заряду на поверхні і дислокаціях невідповідності).
4. Фреїк Д.М. Електричні властивості епітаксійних плівок PBSNSE у моделях Петріца і дифузного розсіювання / Д.М. Фреїк, О.Л. Соколов, Г.Д. Матеїк, Б.С. Дзундза, В.Ф. Пасічняк // Фізика і хімія твердого тіла. - 2005. - Т. 6, №1. - С. 354-357. (Особ. вн.: розроблено програми і виконано розрахунки електричних параметрів в рамках моделі Петріца і дифузного розсіювання носіїв струму).
5. Фреїк Д.М. Вплив поверхні і міжзеренних меж на рухливість носіїв у тонких плівках телуриду свинцю / Д.М. Фреїк, Б.С. Дзундза, Г.Д. Матеїк // Фізика і хімія твердого тіла. - 2005. - Т. 6, №2. - С. 251-253. (Особ. вн.: виконано експериментальні дослідження електричних властивостей плівок PBTE. Показано, що для товщин плівок, менших від 0,1 мкм, домінує дифузійне розсіювання на поверхні, а при більших товщинах - на міжзеренних межах).
6. Фреїк Д.М. Розсіяння носіїв заряду в епітаксійних плівках PBTE / Д.М. Фреїк, В.Ф. Пасічняк, О.Л. Соколов, Б.С. Дзундза // Український фізичний журнал. - 2005. - Т. 50, №11. - С. 1250-1252. (Особ. вн.: досліджено залежність рухливості носіїв заряду в епітаксійних плівках PBSE від товщини при різних температурах. Розраховано внесок рухливості, зумовлений розсіюванням на поверхні для плівок різної товщини).
7. Фреїк Д.М. Моделі процесів відпалу полікристалічних плівок телуриду свинцю / Д.М. Фреїк, Б.С. Дзундза, Я.П. Салій // Фізика і хімія твердого тіла. - 2006. - Т. 7, №1. - С. 45-49. (Особ. Вн.: змодельовано процеси відпалу плівок, проведено порівняння отриманих результатів з експериментом).
8. Фреїк Д.М. Перенесення носіїв струму у дрібнодисперсних плівках кадмій і плюмбум телуридів / Д.М. Фреїк, Б.С. Дзундза, Г.Д. Матеїк, Ю.В. Кланічка // Фізика і хімія твердого тіла. - 2006. - Т. 7, №2. - С. 245-247. (Особ. вн.: досліджено механізми перенесення носіїв через міжзеренні межі, визначено висоту потенціального барєру на міжзеренних межах).
9. Дзундза Б.С. Післяконденсаційні процеси рекристалізації мозаїчних плівок PBTE на слюді / Б.С. Дзундза, Г.Д. Матеїк, Ю.В. Кланічка // Фізика і хімія твердого тіла. - 2006. - Т. 7, №3. - С. 457-460. (Особ. вн.: досліджено зміну питомого опору мозаїчних плівок PBTE від часу їх витримки у вакуумі).
10. Фреїк Д.М. Вплив поверхні і міжкристалічних меж на електричні властивості тонких плівок телуриду свинцю / Д.М. Фреїк, Б.С. Дзундза // Фізика і хімія твердого тіла. - 2006. - Т. 7, №4. - С. 673-676. (Особ. вн.: визначено електричні параметри приповерхневого і обємного шарів та енергію активації міжкристалітних барєрів).
11. Фреїк Д.М. Вплив структурної завершеності плівок селеніду свинцю на механізми розсіювання носіїв струму / Д.М. Фреїк, Б.С. Дзундза // Фізика і хімія твердого тіла. - 2007. - Т. 8, №1. - С. 71-74. (Особ. вн.: виконано дослідження залежності електричних параметрів мозаїчних p-PBSE і монокристалічних n-PBSE плівок від товщини. Розраховано значення електричних параметрів приповерхневих шарів).
12. Бабущак Г.Я. Фізичні процеси та технологічні режими формування між елементної ізоляції на напівпровідниках А3В5 та А4В6 методом поліенергетичної йонної імплантації / Г.Я. Бабущак, В.В. Борик, Б.С. Дзундза, Л.Й. Межиловська, Л.І. Никируй, В.В. Прокопів, Я.П. Салій // Пріоритети наукової співпраці ДФФД і БРФФД. Матеріали спільних конкурсних проектів Державного фонду фундаментальних досліджень і Білоруського республіканського фонду фундаментальних досліджень ("ДФФД - БРФФД - 2005"). - К.: ДІА, - 2007. - С. 260-273. (Особ. вн.: виконано експериментальні дослідження електричних властивостей плівок AIVBVI).
13. Фреик Д.М. Электронные свойства межзеренных границ и рассеяние носителей заряда в тонких слоях теллурида свинца / Д.М. Фреик, Б.С. Дзундза, В.Ф. Пасичняк // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. - 2007. - №1. - С. 20-24. (Особ. вн.: експериментально досліджено залежність електричних параметрів мозаїчних плівок PBTE від товщини і температури. Розділено розсіювання носіїв струму на поверхні і міжзеренних межах).
14. Дзундза Б.С. Особливості розсіювання носіїв струму в епітаксійних плівках телуриду свинцю / Б.С. Дзундза // Фізика і хімія твердого тіла. - 2007. - Т. 8, №2. - С. 287-290.
15. Дзундза Б.С. Поверхневі явища у структурах на основі тонких плівок телуру / Б.С. Дзундза // Вісник Прикарпатського університету. Математика. Фізика. - 2007. - В. 3. - С. 80-84.
16. Фреїк Д.М. Механізми відпалу полікристалічних плівок AIVBVI / Д.М. Фреїк, Б.С. Дзундза // Харьковская нанотехнологическая асамблея-2007. Тонкие пленки. - 2007. - Т. 2. - С. 143-147. (Особ. вн.: виконано експериментальні дослідження залежності питомої електропровідності плівок PBTE від часу їх витримки у вакуумі).
17. Фреїк Д.М. Особливості розсіювання носіїв струму в полікристалічних плівках телуриду свинцю / Д.М. Фреїк, Б.С. Дзундза, Г.Є. Малашкевич, Г.Д. Матеїк // Фізика і хімія твердого тіла. - 2007. - Т. 8, №3. - С. 509-512. (Особ. вн.: одержано вираз для розрахунку рухливості носіїв струму у тонких плівках при розсіюванні на поверхні і міжзеренних межах).
18. Фреїк Д.М. Профілі електричних параметрів у тонких плівках халькогенідів свинцю / Д.М. Фреїк, Б.С. Дзундза, В.М. Чобанюк. // Фізика і хімія твердого тіла. - 2007. - Т. 8, №4. - С. 727-732. (Особ. вн.: досліджено розподіл за товщиною ефективних і локальних значень електричних параметрів плівок).
19. Фреїк Д.М. Кінетичні коефіцієнти в області міжфазних меж тонких плівок халькогенідів свинцю у двошаровій моделі Петріца / Д.М. Фреїк, Б.С. Дзундза, В.М. Чобанюк, І.М. Ліщинський, О.Л. Соколов // Фізика і хімія твердого тіла. - 2008. - Т. 9, №2. - С. 247-254. (Особ. вн.: виконано аналіз електричних схем для холлівських вимірювань двошарових структур у моделі Петріца. Визначено технологічні фактори у методі гарячої стінки, що забезпечують формування конденсату із заданими ефективними n- або р-типом провідності).
20. Пат. 18236 Україна, С 30В 25/18. Спосіб отримання орієнтованих нанокристалів AIVBVI на слюді / Д.М. Фреїк, Л.Й. Межиловська, Б.С. Дзундза, Г.Д. Матеїк; Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника. - №u 2005 12235; заявл. 19.12.05; опубл. 15.11.06, Бюл. №11. (Особ. вн.: проведено синтез матеріалу, оформлено заявку).
21. Дзундза Б.С. Рухливість носіїв струму і механізми розсіювання у напівпровідникових плівках халькогенідів свинцю / Б. Дзундза, Ю. Лисюк, Ю. Кланічка, В. Пасічняк, О. Соколов. // "Еврика-2003": Всеукраїнська наук. конф. студентів і молодих науковців з теоретичної та експериментальної фізики, 21-23 травня 2003 р.: тези доп. - Львів, 2003. - С. 139.
22. Никируй Л.І. Механізми розсіювання та транспортні явища в кристалах і плівках халькогенідів свинцю / Л.І. Никируй, І.В. Калитчук, В.Ф. Пасічняк, О.Л. Соколов, Б.С. Дзундза // ІІ укр. наук. конф. з фізики напівпровідників, 20-24 вересня 2004 р.: тези доп. - Чернівці-Вижниця, 2004. - С. 101-102.
23. Дзундза Б.С. Вплив поверхневого розсіювання на рухливість носіїв струму в тонких плівках халькогенідів свинцю / Б.С. Дзундза, Ю.В. Кланічка // Матеріали Ювілейної X міжнародної конф. з фізики і технології тонких плівок, 16-21 травня 2005 р.: тези доп. - Івано-Франківськ, 2005. - С. 300-301.
24. Дзундза Б.С. Особливості розсіювання носіїв заряду на поверхні у тонких плівках AIVBVI / Б.С. Дзундза, В.Ф. Пасічняк // Дні науки ’2005: матеріали міжнародної науково-практичної конф., 15-27 квітня 2005 р.: тези доп. - Дніпропетровськ, 2005. - С. 15-27.
25. Freik D.M. The current carriers scattering in the binary-layer heterostructures on the basis of AIVBVI compounds / D.M. Freik, O.L. Sokolov, B.S. Dzundza, G.D. Mateyik, L.I. Nykyruy // Phisics of Electronic materials: II International Conference Proceedings, 24-27 May 2005. - V.1. - Kaluga, 2005. - P. 241-243.
26. Фреїк Д.М. Тонкоплівкові структури на основі напівпровідників AIVBVI для елементів сенсорики / Д.М. Фреїк, Б.С. Дзундза, О.Л. Соколов, В.Ф. Пасічняк, Г.Д. Матеїк // Сенсорна електроніка та мікросистемні технології (СЕМСТ-2): 2 міжнар. наук.-техн. конф., 26-30 червня 2006 р.: тези доп. Одеса, 2006. - С. 192.
27. Dzundza B.S. Modification of Properties of The Semiconductor Films AIVBVI Compounds / B.S. Dzundza, O.L Sokolov., V.F. Pasichnyak, Yu.V. Klanichka. // шоста міжнар. конф. молодих вчених з прикладної фізики, 14-16 червня 2006 р.: тези доп. - Київ, 2006. - С. 134.
28. Фреїк Д.М. Фізико-хімічні процеси у тонких плівках халькогенідів свинцю при термовідпалі і взаємодії з киснем / Д.М. Фреїк, Б.С. Дзундза, Я.П. Салій, Г.Д. Матеїк, Ю.В. Кланічка. // Матеріали електронної техніки та сучасні інформаційні технології (МЕТІТ-2): ІІ науково-технічна конф. з міжнар. участю, 17-19 травня 2006 р.: тези доп. - Кременчук, 2006. - С. 21-22.
29. Фреик Д.М. Моделирование процессов дефектообразования и модификация свойств полупроводниковых пленок соединений AIVBVI / Д.М. Фреик, Б.С. Дзундза, А.Л. Соколов, В.Ф. Пасичняк, Ю.В. Кланичка // Междунар. конф. по физической мезомеханике, компют. конструированию и разработке новых материалов, 19-22 сен. 2006 р.: тезисы докл. - Томск, Россия, 2006. - С. 250.
30. Фреїк Д.М. Механізми проходження струму у дрібнодисперсних плівках кадмій і плюмбум телуридів / Б.С. Дзундза, Г.Д. Матеїк, Ю.В. Кланічка // Дисперсные системы: ХХІІ науч. конф. стран СНГ, 18-22 сентября 2006 р.: тези доп. - Одеса, 2006. - С. 342-343.
31. Дзундза Б.С. Механизмы транспорта носителей заряда в мелкодисперсных структурах на основе хальогенидов кадмия и свинца / Б.С. Дзундза, В.Ф. Пасичняк, А.Л. Соколов, Ю.В. Кланичка // Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии: VI междунар. конф., 17-22 сен. 2006 г.: тезисы докл. - Кисловодськ, Россия, 2006. - С. 221-222.
32. Freik D.М. Ionization and Nuclear Losses of Energy of б-particles in AIVBVI / D. Freik, Ya. Saliy, B. Dzundza. // Radiation interaction with material and its use in Technologies: International Conference, 28-30 September 2006. - Kaunas, Lithuania, 2006. - P. 284-287.
33. Дзундза Б.С. Вплив структури на розсіювання носіїв струму у тонких плівках халькогенідів свинцю / Б.С. Дзундза // Матеріали ХІ міжнародної конференції з фізики і технології тонких плівок, 7-12 травня 2007 р.: тези доп. - Т.2. - Івано-Франківськ, 2007. - С. 16-17.
34. Дзундза Б.С. Механизмы рассеяния носителей тока в тонких слоях халькогенидов свинца / Б.С. Дзундза, Ю.В. Кланичка, О.Л. Соколов, Я.С. Яворський // New Electrical and Electronic Technologies and their Industrial Implementation: 5th International Conference, 12-15 June 2007. - Zakopane, Poland, 2007. - P. 31.
35. Дзундза Б.С. Модели процессов рекристаллизации и электронные свойства тонких пленок халькогенидов свинца / Б.С. Дзундза, Г.Д. Матеик, Ю.В. Кланичка, Я.С. Яворский // Актуальные проблемы физики твердого тела (ФТТ-2007): междунар. науч. конф., 23-26 октября 2007 г.: тезисы докл. - Минск, Бєларусь, 2007. - С. 417-418.
36. Дзундза Б.С. Вплив поверхні та структурної завершеності на механізми розсіювання в плівках селеніду свинцю / Б.С. Дзундза, Я.С. Яворський. // ІЕФ’2007: конф. молодих учених та аспірантів Інституту електронної фізики Національної академії наук України, 17-19 травня 2007 р.: тези доп. - Ужгород, 2007. - С. 118.
37. Фреїк Д.М. Вплив структури на транспортні явища у тонких плівках халькогенідів свинцю / Д.М. Фреїк, Б.С. Дзундза, В.М. Кланічка. // Нанорозмірні системи: будова, властивості, технології" (НАНСИС-2007): ІІ міжн. конф., 21-23 листопада 2007 р.: тези доп. - Київ, 2007. - С. 402.
38. Дзундза Б.С. Поверхневі явища і електричні властивості тонких плівок халькогенідів свинцю / Ю.В. Кланічка, Я.С. Яворський // Лашкарьовські читання-2008: конф. молодих вчених з фізики напівпровідників, 21-23 квітня 2008 р.: тези доп. - Київ, 2008. - С. 130.
39. Фреик Д.М. Структура и механизмы рассеяния носителей тока в гранулированных слоях селенида свинца / Д.М. Фреик, Г.Е. Малашкевич, Б.С. Дзундза, Л.И. Межиловськая, И.М. Лищинский // Наноструктурные материалы-2008: Беларусь-Россия-Украина "НАНО-2008": I междунар. науч. конф., 22-25 апреля 2008 г.: тезисы докл. - Минск, Беларусь, 2008. - С. 68.