Вплив домішок перехідних металів на механізми переносу заряду в іонно-електронних розплавах - Автореферат

Рідкі метали та напівпровідники, які згідно з класифікацією [1, 2] ми називаємо іонно-електронними рідинами на підставі того, що їх головні властивості визначає саме поведінка іонних та електронних підсистем, належать до невпорядкованих середовищ, що набувають дедалі ширшого застосування в техніці та в сучасних технологіях, наприклад, в розробці атомних реакторів четвертого покоління. Зауважимо, що ще недостатньо вивчені і практично не використовують такі унікальні особливості напівпровідникових розплавів, як суттєві зміни електронних властивостей іонно-електронних рідин у разі зміни зовнішніх параметрів (температури, тиску, концентрації тощо). Тому, на нашу думку, досліджуючи іонно-електронні рідини, треба обрати такі обєкти, у яких енергетичний спектр електронів легко змінюється за зміни окремих зовнішніх параметрів. Для цього проаналізовано електрофізичні параметри іонно-електронних рідин, які мають широкий спектр змін властивостей, починаючи від властивостей, що характерні для металів, де діє слабкий механізм розсіювання електронів, до іонно-електронних рідин, що мають властивості, які характерні для напівпровідників та діелектриків, де діють як сильний механізм розсіювання (дифузійна провідність), так і активаційний механізм перенесення заряду. Обєктом дослідження є: перехід метал-неметал і розсіювання електронів на домішках перехідних металів у гомогенних та гетерогенних розплавах, які мають властивості, що характерні як для напівпровідників, так і для металів.А Ag і, ще в більшій мірі, Cu відрізняються від Tl тим, що їхні заповнені d-стани мають високу енергію, тому в утворенні звязків, крім s-електрона, можуть брати участь і d-електрони. Як наслідок 4d-стани Ag, а ще в більшій мірі 3d-стани Cu можуть перекриватися із валентною зоною, що приводить до зміни густини станів біля краю зони. 4) та розплавів CUASSE2 і TLASSE2 (рис.2), для яких характерні перелічені властивості, ми описали поведінку псевдощілини у широкому інтервалі температур, що охоплює область переходу напівпровідник-метал. На підставі цього можна зробити висновок, що на порозі протікання (суть області переходу напівпровідник-метал) S вже має постійні значення, що характерні для металів, а ? ще залежить від концентрації. Отримані залежності ? розплаву від кількості р-електронів на рівнях і номера рівня в атомах домішки приводять за аналогією з фріделевими віртуальними d-станами у домішкових атомах перехідних металів до висновку про наявність у домішкових атомах віртуальних р-станів.У цих розчинах механізм розсіювання електронів змінюється від слабкого до сильного. Запропоновані фізичні моделі, які дали змогу пояснити електронну структуру, електрофізичні та структурно-чутливі властивості переходу метал-неметал в іонно-електронних розплавах, а також механізми розсіювання електронів в системах з різним типом взаємодії. Показано, що перехід напівпровідник-метал відбувається за наявності певної долі іонного перенесення. У розплавах потрійних халькогенідів виявлено і досліджено високотемпературний перехід напівпровідник-метал-напівпровідник і концентраційний перехід напівпровідник-метал. Встановлено, що у розплавах Tl-Se, Cd-Te з p-n переходом біля стехіометричного складу за зміни концентрації та зростання температури рівень Фермі зміщується до центру псевдощілини, а внески в процес перенесення заряду дають як зона провідності, так і валентна зона.

ОСНОВНИЙ ЗМІСТ РОБОТИ

У дисертаційній роботі обґрунтована та вирішена фундаментальна наукова проблема - перенесення електронів під час переходу метал-неметал в іонно-електронних розплавах з домішками перехідних металів. У цих розчинах механізм розсіювання електронів змінюється від слабкого до сильного.

Для виконання поставленої мети: 1. Модифікована методика високотемпературних вимірювань електропровідності хімічно агресивних розплавів (захищено патентом України UA №40541).

2. Розроблені і створені комірки: - для дослідження електропровідності і термо-е.р.с. хімічно агресивних розплавів

- для високотемпературних вимірювань теплопровідності;

- для високотемпературних вимірювань густини методом пропускання ?-квантів.

3. В широкому інтервалі температур і тисків проведено експериментальні дослідження електропровідності і термо-е.р.с: - бінарних сплавів, в яких присутня іонна складова провідності;

- потрійних сплавів з домінуючим електронним механізмом провідності;

- бінарних сплавів з p-n переходом в області стехіометричних складів;

- металевих розплавів Sn, Al, Sb, Bi, Pb-Mg з домішками перехідних металів, де визначальним є механізм слабкого розсіювання електронів провідності;

- напівпровідникових розплавів Te i In2Te3 з домішками перехідних металів, де домінуючим є дифузійний механізм перенесення заряду;

- напівпровідникових(діелектричних) розплавів Se-Te, S-Te з домішками перехідних металів з активаційним механізмом перенесення заряду.

4. Проведені допоміжні дослідження: - вязкості Sn, Al, Te, In2Te3 з домішками перехідних металів, CDTE;

- густини Al з домішками металів, потрійні халькогеніди;

- рентгеноструктурні дослідження Sn, Se-Te з домішками перехідних металів.

За результатами проведених досліджень можна зробити наступні висновки: 1. Запропоновані фізичні моделі, які дали змогу пояснити електронну структуру, електрофізичні та структурно-чутливі властивості переходу метал-неметал в іонно-електронних розплавах, а також механізми розсіювання електронів в системах з різним типом взаємодії.

2. Встановлено, що в розплавах Cu2Te, Cu2Se, Ag2Te, Tl2Te, Tl2Se збурення енергетичного спектра спричинює d-зона (3d-Cu, 4d-Ag, 5d-Tl). Показано, що перехід напівпровідник-метал відбувається за наявності певної долі іонного перенесення.

3. У розплавах потрійних халькогенідів виявлено і досліджено високотемпературний перехід напівпровідник-метал-напівпровідник і концентраційний перехід напівпровідник-метал.

4. Показано, що природа вказаних переходів єдина і повязана з існуванням певного енергетичного інтервалу, в якому відбуваються процеси перенесення заряду. Показано, що процес переходу неметал-метал супроводжується як зростанням концентрації вільних носіїв, так і локалізацією хвильових функцій електронів. Запропонована модель базується на багатоелектронному механізмі делокалізації електронних станів у псевдощілині. Показано, що зворотній перехід метал-напівпровідник супроводжується появою енергетичної псевдощілини по рухливості і по густині станів.

5. Встановлено, що у розплавах Tl-Se, Cd-Te з p-n переходом біля стехіометричного складу за зміни концентрації та зростання температури рівень Фермі зміщується до центру псевдощілини, а внески в процес перенесення заряду дають як зона провідності, так і валентна зона. У разі цього транспортування електронів здійснюється за двозонним механізмом.

6. Встановлено, що у розплавах металів з домішками d-металів відбуваються процеси самоорганізації. Перехідний елемент активно трансформує ближній порядок метала-розчинника, що приводить до зменшення ефективної довжини вільного пробігу електронів, зміни електронної густини і, відповідно, до зміни електропровідності.

7. Показано, що використання моделі незалежних звязків у рідкому телурі засвідчує існування ланцюжків різної довжини з двома направленими звязками на кінцях. На основі аналізу структурно-чутливих властивостей показано, що додавання 3d металу зі складною зовнішньою електронною конфігурацією атомів приводить до деякого відновлення звязків і утворення комплексів. Проведено оцінювання обємної долі кластерів у розплаві телуру і її температурної залежності. На основі аналізу електрофізичних властивостей показано, що електронну структуру рідкого телуру не описує теорія вільних електронів, а звязки проявляють певну ступінь ковалентності. Це, своєю чергою, приводить до появи мінімуму на густині станів, а рівень Фермі зміщується у бік валентної зони. Саме швидкість зміни густини станів на віртуальних рівнях визначає збільшення або зменшення додаткової провідності. На основі аналізу температурних залежностей термо-е.р.с. показано, що рівень Фермі з ростом температури мігрує в напрямку до валентної зони.

8. Показано, що домішки перехідних металів локалізуються в лінійні структури вихідного рідкого In2Te3, спричиняючи цим їх подрібнення. d-стани домішкових елементів проявляють себе в ефекті sp-d гібридизації. Показано, що зростання електропровідності зумовлене домінуючим впливом d-станів на зростання загальної густини станів.

9. Встановлено, що домішки 3d металів у розплаві Se-Te змінюють вигляд першого максимуму структурного фактора і приводять до змін в атомному розподілі та трансформації ковалентних звязків у металеві. На основі аналізу температурних залежностей електрофізичних властивостей розплавів Se-Te i S-Te показано, що зміщення температури переходу напівпровідник-метал, зміни енергій активацій ? і S, зростання швидкості замивання псевдощілини зумовлені зростанням густини станів на рівні Фермі.

10. Показано, що іонно-електронні рідини поділяють на такі, що мають металеві властивості, та на такі, що мають напівпровідникові властивості. Додавання домішок перехідних металів в перші приводить до зміни концентрації носіїв заряду і зменшення довжини вільного пробігу електронів. Ці два чинники і визначають поведінку електрофізичних властивостей. Домінуючим є зменшення довжини вільного пробігу, що і визначає зменшення електропровідності. Додавання домішок перехідних металів до іонно-електронних рідин, що мають напівпровідникові властивості, приводить до зростання густини станів в псевдощілині, її замиванню і, відповідно, до зростання електропровідності.

1 Фізика іонно-електронних рідин / Л.А. Булавін, В.І. Лисов, С.Л. Рево та ін. - Київ.: “Київський університет”, 2008. - 367 с.

2 Адаменко І.І. Фізика рідин та рідинних систем / І.І. Адаменко, Л.А. Булавін. - Київ: АСМІ, 2006. - 650 с.

3.Anderson P.W. Absence of diffusion in certain random lattic / P.W. Anderson // Phys.Rev. - 1958. - Vol. 109. - P. 1492-1505.

4. Mott N.F. Conduction in Non-crystaline Systems.1.Localized Electronic States in Disordered Systems / N.F. Mott // Phil.Mag. - 1968. - Vol. 17, N. 50. - P. 1259-1268.

Список публікацій

Structure and physical properties of Pb-Sn melts / V. Sklyarchuk, A. Yakymovych, I. Shtablavyy, I. Shevernoha, M. Kozlovskii, R. Khairulin, S. Stankus // Ukr. J. Phys. - 2010. - Vol. 55, N. 9. - P. 979-986.

Структура та електроопір припоїв у перед кристалізаційному інтервалі температур / С.І. Мудрий, І.І. Штаблавий, В.М. Склярчук, Ю.О. Плевачук, А.В. Королишин, А.С. Якимович, І.М. Шевернога, В.Є. Сідоров // Фізико-хімічна механіка матеріалів. - 2010. Т. 4. - С. 35-41.

Плотность и коэффициенты взаимной диффузии расплавов висмут-олово эвтектического и околоэвтектического составов / Р.А. Хайрулин, С.В. Станкус, Р.Н. Абдуллаев, В.М. Склярчук // Физика высоких температур. - Т.48, №1. - С. 1-4.

Termophysical properties of liquid Al-Ni alloys / I. Egry, R. Brooks, D. Holland-Moritz, R. Novakovic, T. Matsushita, Yu. Plevachuk, E. Ricci, S. Seetharaman, V. Sklyarchuk, R. Wunderlich // High Temp-High Press. - 2010. - Vol. 38. - P. 343-351

Determination of liquidus temperature in Sn-Ti-Zr alloys by viscosity, electrical conductivity and XRD measurements / Yu. Plevachuk, S. Mudry, V. Sklyarchuk, A. Yakymovych, A. Korolyshyn, I. Shtablavyy, Yu. Kulyk, U. Klotz, Ch. Liu, Ch. Leinenbach // Int. J Mater. Research. - 2010. - Vol. 100. - P. 689-694.

Density, viscosity and electrical conductivity of hypoeutectic Al-Cu liquid alloys / Yu. Plevachuk, V. Sklyarchuk, A. Yakymovych , S. Eckert, B. Willers, K. Eigenfeld // Metall. Mater. Trans. A. 2008. - Vol. 39, N. 12. - P. 3040-3045.

V. Sklyarchuk V. Structure sensitive properties of Al-Si liquid alloys / V. Sklyarchuk, Yu. Plevachuk, A. Yakymovych // Int. J. Thermophysics. - 2009. - Vol. 30, N. 4. - P. 1400-1410.

Розрахунок вязкості розплавів системи Al-Cu / В.М. Склярчук, А.С. Якимович, М.В. Дуфанець // Металлофиз.новейшие технол. - 2008. - Т. 30. - С. 313-319.

Electrical conductivity of liquid Sn-Ti-Zr alloys / V. Sklyarchuk, Yu. Plevachuk, S. Mudry, A. Yakymovych, U.E. Klotz, C. Liu // J. Phys.: Conf. Series. - 2008. - Vol. 98. - P. 062008. (http://www.iop.org/EJ/abstract/1742-6596/98/6/062008).

Semiconductor-Metal Transition in Semiconductor Melts with 3d Metal Admixtures / V. Sklyarchuk, Yu. Plevachuk, S. Mudry, I. Shtablavyi, B. Sokolovskii // J. Phys.: Conf. Series. - 2008. - Vol. 98. - P. 062003.

Thermophysical properties of Nd-, Er-, Y-Ni-alloys / Yu. Plevachuk, V. Sklyarchuk, R. Hermann, G. Gerbeth // Int. J. Mat. Res. - 2008. - Vol. 99, N. 3. - P. 261-264.

Structure and Electrical Properties of Liquid Sn, Sn0.962Ag0.038, Sn0.987Cu0.013, and Sn0.949Ag0.038Cu0.013. / S.I. Mudry, V.M. Sklyarchuk, Yu.O. Plevachuk, I.I. Shtablavyi // Inorg. Mater. - 2008. - Vol. 44, N. 2. - P. 129-133.

Перехід до металевої провідності в розплавах на основі селену / Л.А. Булавін, Б.І. Соколовський, В.М. Склярчук, Ю.О. Плевачук // Вісник КНУ. - 2007. - С. 326-329.

Соколовський Б.І. Електропровідність і термо-е.р.с. розплавів на основі телуру. / Б.І. Соколовський, В.М. Склярчук, Ю.О. Плевачук // Вісник КНУ. - 2007. - С. 354-358.

Viscosity and electrical conductivity of liquid Sn-Ti and Sn-Zr alloys / Yu. Plevachuk, S. Mudry, V. Sklyarchuk, A. Yakymovych, U. E. Klotz, M. Roth // J. Mater. Sci. - 2007. Vol. 42, N. 20. - P. 8618-8621.

Sklyarchuk V. Electrophysical and structural-sensitive properties of liquid In2Te3 with 3d metal admixtures / V. Sklyarchuk, Yu. Plevachuk. // J. Non-Cryst. Solids. - 2007. - Vol. 353. - P. 3216-3219.

Metal-nonmetal transition in semiconductor melts with 3d metal admixtures / V. Sklyarchuk, Yu. Plevachuk, S. Mudry, I. Shtablavyi // J. Phys. Studies. - 2007. - Vol. 11, N. 2. - P. 190-194.

Electrical conductivity, thermoelectric power and viscosity of liquid Sn-based alloys / Yu. Plevachuk, V. Sklyarchuk, W. Hoyer, I. Kaban // J. Mater. Sci. - 2006. - Vol. 41. - P. 4632-4635.

Sklyarchuk V. A short range ordering self-organization in liquid binary systems / V. Sklyarchuk, Yu. Plevachuk, S. Mudry // Nanosystems, Nanomaterials, Nanotechnologies. - 2005. Vol. 3, N. 2. - P. 505

-510.

Sklyarchuk V. A modified steady state apparatus for thermal conductivity measurements for liquid metals and semiconductors / V. Sklyarchuk, Yu. Plevachuk. // Meas. Sci. Technol. - 2005. Vol. 16. - P. 467-471.

Viscosity of liquid tellurium doped with 3d transition metals / V. Sklyarchuk, Yu. Plevachuk, S. Mudry, // J. Mol. Liquids. - 2005. - Vol. 120, N. 1-3. - P. 111-114.

The structural features of Cu1-XPBX liquid alloys / S. Mudry, T. Lutchyshyn, Yu. Plevachuk, V. Sklyarchuk // J. Mol. Liquids. - 2005. - Vol. 120, N. 1-3. - P. 99-102.

Sklyarchuk V. Electrophysical and structure-sensitive properties of liquid Te with 3d transition metals / V. Sklyarchuk, Yu. Plevachuk // J. Phys. Studies. - 2004. Vol. 8, N. 3. - P. 245-251.

Sklyarchuk V. Reverse metal-nonmetal transition in semiconducting melts / V. Sklyarchuk, Yu. Plevachuk // J. Non-Cryst. Solids. - 2004. - Vol. 336, N. 1. - P. 59-63.

Sklyarchuk V. Electrical conductivity and thermopower of liquid tellurium doped with 3d transition metals / V. Sklyarchuk, Yu. Plevachuk // Semiconductors. - 2004. - Vol. 38, N. 12. - P. 1365-1368.

Sklyarchuk V. Electrical Conductivity of liquid Sb and Bi with admixtures of 3d transition metals/ V. Sklyarchuk, Yu. Plevachuk // Inorganical Materials. - 2003. - Vol. 39, N. 8. - P. 811-815.

Plevachuk Yu.O. Thermoelectric properties of liquid CDTE in the stoichiometric composition range / Yu.O. Plevachuk, V.M. Sklyarchuk, A.P. Vlasov. // Functional materials. - 2003. - Vol. 10, N. 3. - P. 507-510.

Plevachuk Yu. Electronic properties and viscosity of liquid CDTE-based alloys / Yu. Plevachuk, V. Sklyarchuk, Ch. Dong // J. Phys.: Condens. Matter. - 2002. Vol. 14, N. 23. - P. 5711-5718.

Plevachuk Yu. Thermoelecric and Structural Properties of Nearstoichiometric CDTE during Melting / Yu. Plevachuk, V. Sklyarchuk, Ch. Dong // Z. Anorg. Allg. Chem. - 2002. - Vol. 628, N. 9-10. - P. 2223.

Transport Properties and Viscosity of Liquid CDTE doped with In, Ge, and Sn / V. M. Sklyarchuk, Yu. O. Plevachuk, P. I. Feichuk, L. P. Shcherbak // Inorganic Materials. - 2002. - Vol. 38, N. 11. - P. 1109-1113.

CDTE-Ge Melt Structure Rearrangement Study / L.Shcherbak, P.Feychuk, Yu.Plevachuk, V.Sklyarchuk, O.Kopach, B.-J.Suck, O.Panchuk // Phys. Stat. Sol. (b). - 2002. - Vol. 229, N. 1. - P. 165-169.

Sklyarchuk V. Thermophysical Properties of Liquid Ternary Chalcogenides / V. Sklyarchuk, Yu. Plevachuk // High Temperatures - High Pressures. - 2002. - Vol. 34. - P. 29-34.

Sklyarchuk V.M. Electron properties of liquid Cu2Te, Cu2Se, Ag2Te, Tl2Te and Tl2Se alloys / V.M. Sklyarchuk, Yu.A. Plevachuk // Semiconductors. - 2002. Vol. 36, N. 10. - P. 1123-1127.

Sklyarchuk V. Electrophysical properties of Tl-Se liquid alloys in the wide concentraiton and temperature ranges / V. Sklyarchuk, Yu. Plevachuk, V. Didoukh // J. Phys. Studies. - 2002. - Vol. 6, N. 3. - P. 168-171.

Plevachuk Yu. Experimental Study on the Electrical Conductivity and Thermo-Electromotive Force of Liquid Pb-Mg-Based Alloys / Yu. Plevachuk, V. Sklyarchuk // Z. Metallkd. - 2001. - Vol. 92, N. 6. - P. 600-603.

Plevachuk Yu. Electrophysical measurements for strongly aggressive liquid semiconductors / Yu. Plevachuk, V. Sklyarchuk // Meas. Sci. Technol. - 2001. - Vol. 12, N. 1. - P. 23-26.

Sklyarchuk V. Nonmetal-metal Transition in liquid Cu-based alloys / V.Sklyarchuk, Yu.Plevachuk. //. Z. Phys. Chem. - 2001. - Vol. 215, N. 1. - P. 103-109.

Sklyarchuk V. Dynamics of the pseudogap transformation in semiconducting melts during metallization / V. Sklyarchuk, Yu. Plevachuk // J. Phys.: Condens. Matter. - 2001. - Vol. 13, N. 41. - P. 9179-9185.

Sklyarchuk V. The influence of the ionic component of electrical conductivity on semiconductor-metal transition in liquid Tl-Se alloys / V. Sklyarchuk, Yu. Plevachuk // J. Alloys Comp. - 2001. - Vol. 327, N. 1-2. - P. 47-51.

Sklyarchuk V. The investigation techniques for thermoelectric properties of semiconducting melts / V. Sklyarchuk, Yu. Plevachuk // Ukrainian Metrological Journal. - 2001. - Vol. 2. - P. .26-29.

Sklyarchuk V. Metal-nonmetal Transition in Cux(CUASSE2)1-x melts / V. Sklyarchuk, Yu. Plevachuk // J. Phys. Studies. - 2001. - Vol. 5, N. 2. - P. 145-150.

Sklyarchuk V. Transition to Metal Conductivity in Copper Chalcogenides / V. Sklyarchuk, Yu. Plevachuk // Proceedings of the Chelyabinsk Scientific Center. - 2001. - Vol. 2, N. 11. - P. 22-26.

Sklyarchuk V. Semiconductor-Metal Transition in Te-based Liquid Alloys / V. Sklyarchuk, Yu. Plevachuk // Metallofiz. Noveishie Tekhnol. - 2001. - Vol. 23, N. 6. - P. 735-743.

Sklyarchuk V. Transition to Metal Conductivity in Liquid Tl-Se Alloys in the region of the Intermetallic Compound Tl2Se / V. Sklyarchuk, Yu. Plevachuk // Z.Metallkd. - 2000. - Vol. 91, N. 12. - P. 999-1001.

Sklyarchuk V. Transformation of an Electron Spectrum in Liquid Ternary Semiconductors / V. Sklyarchuk, Yu. Plevachuk // J. Alloys Comp. - 2000. - Vol. 312, N. 1-2. - P. 25-29.

Sklyarchuk V. Thermophysical Properties of Selenium-based Chalcogenide Melts / V. Sklyarchuk, Yu. Plevachuk // J. Phys. Studies. - 2000. - Vol. 4, N. 2. - P. 155-158.

The viscosity of liquid cadmium telluride / L. Shcherbak, O. Kopach, Yu. Plevachuk, V. Sklyarchuk, Ch. Dong, P. Siffert //. J.Crystal Growth. - 2000. - Vol. 212. - P. 385-390.

Sklyarchuk V. Metallic Conductivity of Liquid Ternary Te-based Alloys / V. Sklyarchuk, Yu. Plevachuk // Z.Metallkd. - 2000. - Vol. 91, N. 1. - P.71-74.

Structural changes in molten CDTE / L.Shcherbak, P.Feychuk, Yu.Plevachuk, Ch.Dong, V.Sklyarchuk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - Vol. 3, N. 4. - P.456-459.

Sklyarchuk V.M. Electrophysical properties of the liquid CDTE System / V.M. Sklyarchuk, Yu.O. Plevachuk, V.O. Omelchenko // Proceedings of Lviv University. Physical Series. - 2000. - Vol. 33. - P. 118-121.

High-temperature and high-pressure measurements of electroconductivity and thermopower for Cu2Se, Cu2Te, In-Se, INTE / B. Sokolovskii, V. Sklyarchuk, V. Didoukh, Yu. Plevachuk // High-Temp. Mater. Sci. - 1995. - Vol. 34. - P. 275-284.

Perspective on the use of the Pb-Mg eutectic as a coolant for new-generation inherently-safe nuclear reactors / P.N. Alexeev, V.P. Didoukh, Yu.O. Plevachouk, V.M. Sklyarchouk, B.I. Sokolovskii, S.A. Subbotin // Proceedings of annual meeting on nuclear technology Karlsruhe, Deutsches Atomforum e. - 1992. - P. 31-34.

Mudry S. Influence of doping with Ni on viscosity of liquid Al / S. Mudry, V. Sklyarchuk, A. Yakymovych // J. phys. Stud. - 2008. - Vol. 12, N. 1. - p. 1601-1605.

Монографія

Перехід метал-неметал в іонно-електронних рідинах / Л.А. Булавін, Б.І. Соколовський, Ю.О. Плевачук, В.М. Склярчук. - Київ.:АСМІ, 2008. -312 с.

Тези і матеріали конференцій

55.Склярчук В.М. Самоорганізація ближнього порядку в рідких бінарних системах / В.М. Склярчук, Ю.О. Плевачук, С.І. Мудрий // Нанорозмірні системи: електронна, атомна будова і властивості (НАНСИС - 2004), 12-14 жовтня 2004.: Тези доповідей

- Київ, Україна. 2004. - С. 63.

56. Electrophysical and structure-sensitive properties of liquid Sn-based alloys / Yu. Plevachuk, V. Sklyarchuk, W. Hoyer, I. Kaban // Discussion meeting on thermodynamics of alloys (TOFA 2004), 12-17September, 2004.: Book of Abstr. - Vienna, Austria. 2004 - P. O55.

57. Sklyarchuk V. Electrophysical and structural-sensitive properties of liquid In2Te3 with 3d metal admixtures / V. Sklyarchuk, Yu. Plevachuk // 12th International Conference on Liquid and Amorphous Metals (LAM12), 11-16 July, 2004.: Book of Abstr. - Metz, France. 2004. - P. S025.

58. Sklyarchuk V. Viscosity of liquid Tellurium doped with 3d transition metals / V. Sklyarchuk, Yu. Plevachuk, S. Mudry, // 2nd International Conference „Physics of liquid matter: modern problems (PLMMP-2003)”, 12-15 September, 2003.: Abstr. - Kyiv, Ukraine. 2003. - P. 54

59. Investigation of the miscibility gap region in liquid Pb-Ga alloys using viscosimetric, resistometric and acoustic measurements / Yu. Plevachuk, V. Sklyarchuk, V. Filippov, P. Popel, V. Sidorov, V. Kononenko, A. Rjabina // VI Discussion Meeting “Thermodynamics of Alloys (TOFA 2002)”, 8-13 September, 2002.: Book of Abstr. - Rome, Italy. 2002. - P. PO17.

60. Plevachuk Yu. High temperature experimental studies of CDTE-based melts / Yu. Plevachuk, V. Sklyarchuk, Ch. Dong // III International Conference “Problems of Optics and High Technology Material Science (SPO2002)”, 23-26 October, 2002.: Abstr. - Kyiv, Ukraine. 2002. - P. 25.

61. Vlasov A. Electrical conductivity and thermo-emf of CDTE with As admixture during melting / A. Vlasov, V. Sklyarchuk, Yu. Plevachuk // VIII Міжнародний семінар з фізики та хімії твердого тіла, 20-21 червня, 2002.: Тези доповідей. - Львів, Україна. 2002. - С. 71.

62. Sklyarchuk V. Kinetic properties of liquid Bi with 3D transition metals admixtures / Sklyarchuk V, Plevachuk Yu. // Proc. International Conf. "Physics of liquid matter: modern problems" (PLMMP-2001), 14-19 September, 2001.: Abstr. - Kyiv, Ukraine. 2001. - P. 42.

63. Plevachuk Yu. Experimental Investigations of liquid Pb-Mg eutectic doped by third elements / Yu. Plevachuk, V. Sklyarchuk //Proc. Int.Conf. "Materials Week 2001", 1-4 October, 2001.: Abstr. - Munich, Germany. 2001. - P. 41.

64. Склярчук В.М. Электропроводность и термо-э.д.с. жидких Tl2Te, Tl2Se, Ag2Te, Cu2Te и Cu2Se при высоких температурах / В.М. Склярчук, Ю.О. Плевачук // Труды Х Российской конф. "Строение и свойства металлических и шлаковых расплавов"., 14-18 ноября, 2001.: Тези доповідей

. - Екатеринбург, Россия. 2001. - P. 77-80.

65. Sklyarchuk V. Electrical conductivity of INTE4 with 3d metal admixtures / V. Sklyarchuk, Yu. Plevachuk // Crystal chemistry of intermetallic compounds (IX IMC), 20-24 September, 2005.: Abstr. - Lviv, Ukraine. 2005. - P. 80.

66. Sklyarchuk V. Metal-nonmetal transition in semiconductor melts with 3d metal admixtures / V. Sklyarchuk, Yu. Plevachuk // Physics of Liquid Matter: Modern Problems (PLMMP-2005), 27-31 May, 2005.: Abstr. - Kyiv, Ukraine. 2005. - P. 85.

67. Structure and physical properties of Pb-free melts / V. Sklyarchuk, Yu. Plevachuk, S. Mudry, I. Shtablavij // Physics of disordered systems (PDS"05), 18-21 September, 2005.: Abstr. - Gdansk-Sobieszewo, Poland. 2005. - P. 51.

68. Semiconductor-Metal Transition in Semiconductor Melts with 3d Metal Admixtures / V. Sklyarchuk, Yu. Plevachuk, S. Mudry, I. Shtablavyi, B. Sokolovskii // 13th Int. Conference on Liquid and Amorphous Metals (LAM13), 8-14. July, 2007.: Abstr. - Ekateriburg, Russia. 2007. - P. 57.

69. Electrical conductivity of liquid Sn-Ti-Zr alloys / V. Sklyarchuk, Yu. Plevachuk, S. Mudry, A. Yakymovych, U.E. Klotz, C. Liu. // 13th Int. Conference on Liquid and Amorphous Metals (LAM13), 8-14. July, 2007.: Abstr. - Ekateriburg, Russia. 2007. - P. 171.

70. Viscosity, electrical conductivity, XRD studies of liquid Sn-Ti, Sn-Zr, and Sn-Ti-Zr alloys / Yu. Plevachuk, S. Mudry, V. Sklyarchuk, A. Korolyshyn, A. Yakymovych, I. Shtablavyy, Yu. Kulyk, U.E. Klotz, C. Liu, C. Leinenbach // TOFA 2008 Discussion Meeting on Thermodynamics of Alloys, 22-27 June, 2008.: Book of Abstr. - Krakow, Poland. 2008. - P. 33

71. Sklyarchuk V. Metal conductivity in liquid semiconductors with 3d metal admixtures / V. Sklyarchuk, Yu. Plevachuk // 4th International Conference “Physics of Liquid Matter: Modern Problems”, 23-26 May, 2008.: Abstr. -Krakow, Poland. 2008. - P. 96.

72. Sklyarchuk V. Transition semiconductor-metal in liquid Se-Te with 3d metal admixtures / V. Sklyarchuk, Yu. Plevachuk //International Conference Physics of liquid matter: modern problems (PLM MP 2010), 21-24 May, 2010.: Abstr. - Kyiv, Ukraine. 2010. - P. 97.

73. Thermophysical properties of intermetallic Ti-Al alloys in the liquid state / Yu. Plevachuk, V. Sklyarchuk, R. Hermann, G. Gerbeth// 14 International Conference on Liquid and Amorphous Metals (LAM14), 11-16 July, 2010: Abstr. - Rome, Italy. 2010. - P. 83.