Оптимальні режими дифузії для створення легованих оловом шарів II–VI сполук, дослідження їх електричних, фотоелектричних, структурних та оптичних властивостей. Спільні та відмінні риси характеру фізичних процесів у шарах, які зумовлені домішкою олова.
Аннотация к работе
Так, зокрема, відпал кристалів ZNSE у розплавах Sn або Pb викликає значне підвищення електронної провідності та ефективності блакитної люмінесценції [3,4], а легування CDTE у процесі росту Sn або Ge робить кристали напівізолюючими [5]. Дослідження проведено відповідно до планів науково-дослідних робіт кафедри оптоелектроніки Чернівецького національного університету імені Юрія Федьковича за темами «Механізми переносу заряду й детектування оптичного та іонізуючого випромінювання в барєрних структурах на основі широкозонних II-VI напівпровідників» (номер державної реєстрації 01034U001110) та» Оптичні, електричні та люмінесцентні явища в напівпровідникових сполуках, твердих розчинах і фоточутливих діодних структурах на їх основі», які виконувались у рамках координаційних планів НДР Міністерства освіти і науки України у 2003-2005 рр. та 2006-2008 рр. Дисертант під час виконання даних науково-дослідних робіт брав участь у створенні дифузійних шарів, дослідженні їх фізичних властивостей, а також в обговоренні й аналізі одержаних результатів. Провести комплексні дослідження електричних, фотоелектричних, структурних та оптичних властивостей дифузійних шарів; Методи досліджень - розвязання поставленої задачі базується на використанні комплексу експериментальних і розрахункових методів, які охоплюють дослідження електричних, фотоелектричних, структурних і оптичних властивостей дифузійних шарів II-VI сполук, що містять домішку олова.Легування оловом приводить до суттєвого зростання ефективності B-смуги і практично до повного гасіння (за винятком шарів ZNSE:Sn) низькоенергетичної смуги випромінювання. 1, оскільки шари ZNSE: Sn містять на два порядки менше асоціатів , відповідальних за формування червоно-оранжевої R-смуги. Дослідження показали, що B-смуги всіх дифузійних шарів, незалежно від типу використовуваної підкладинки, складаються з трьох елементарних смуг, які за певних умов (температура і рівень збудження) можна розділити і вивчати окремо, рис. На відміну від розгляненої вище, смуга В2 характеризується такими властивостями. а) Збільшення рівня збудження приводить до зміщення максимуму в область менших енергій. б) Залежність I (L) описується степеневим законом з показником ~1,5. в) Збільшення L приводить до деякого росту півширини смуги, середня величина якої складає ?ћ?1/2?10 МЕВ. Різниця Eg і положення максимуму В2-смуги знаходиться в межах 14-20 МЕВ, що не суперечить відомій енергії звязку вільного екситону Евіл?16-24 МЕВ у селеніді цинку.