Основные радиационные эффекты в элементах интегральных микросхем. Классификация радиационных эффектов. Действие облучения на биполярные транзисторы. Радиационные эффекты в усилительных и дифференциальных каскадах. Радиационные эффекты в ИОУ.
Аннотация к работе
Физические параметры биполярного транзистора можно разбить на четыре группы: 1)Параметры, характеризующие диффузию и дрейф неосновных носителей, 2)Параметры, характеризующие рекомбинацию и генерацию, 3)Параметры, определяющие изменение пространственного заряда в области p-n-переходов и его влияние на характеристики транзисторов (это зарядные емкости коллекторного и эмиттерного переходов, а также емкость изолирующих p-n-переходов) Влияние ионизирующего излучения на параметры униполярных транзисторов как с управляющим p-n-переходом, так и МДП - структур в основном проявляется в виде изменений тока затвора I3, порогового напряжения Uзи.пор (для МДП - транзисторов с индуцированным каналом) или напряжения отсечки Uзи.отс (для транзисторов с управляющим р-п-переходом и со встроенным каналом) и крутизны характеристики транзистора Sct. В отличие от биполярных транзисторов в униполярных транзисторах ток в канале образуется потоком основных носителей, поэтому заметные изменения характеристик униполярных транзисторов, обусловленные действием эффектов смещения, наблюдаются при уровнях облучения, способных существенно повлиять на подвижность основных носителей и их концентрацию. Эти изменения связаны с тем, что: 1) характерные пространственные масштабы изменения электрического поля сопоставимы с длинами релаксации энергии и импульса электронов и длиной свободного пробега электронов; 2) характерные размеры рабочих областей приборов сравнимы с расстоянием между кластерами радиационных дефектов (КРД); 3) характерные размеры рабочих областей приборов сопоставимы с размерами КРД; 4) ионизирующее излучение разогревает электронный газ, который не успевает остывать за времена пролета рабочей области приборов; 5) при облучении нейтронами происходит перестройка протонированных изолирующих областей ИС, что сказывается на процессах протекания тока и фоточувствительности; 6) взаимодействие ионизирующих излучений (особенно лазерных) с нанометровыми металлическими объектами имеет особенности; 7) радиационные технологические процессы (например, геттерирование) существенно изменяют электрофизические характеристики полупроводника, что заметным образом сказывается на процессах формирования радиационных дефектов в субмикронных приборах; 8) электроны, разогнанные до энергий 0,5...1 ЭВ большими электрическими полями (~ 100 КВ/см) в субмикронных приборах, могут проникать сквозь КРД, что принципиально меняет подход к моделированию радиационной стойкости приборов. Косвенное влияние этих фототоков, приводящее к изменению тока I0 в эмиттерах или истоках транзисторных пар, удобно учитывать наряду с другими причинами изменения этого тока, представив, что при облучении ток I0 изменяется в (1 аф) раз (где аф - коэффициент изменения тока I0).
План
СОДЕРЖАНИЕ
1.Основные радиационные эффекты в элементах интегральных микросхем. 1.1. Классификация радиационных эффектов. 1.2. Действие облучения на биполярные транзисторы 1.3. Действие облучения на униполярные транзисторы 1.4. Специфика эффектов в зависимости от конструктивно-технологических особенностей ИМС 3
2. Радиационные эффекты в усилительных и дифференциальных каскадах 2.1. Усилительные каскады. 2.2. Дифференциальные каскады. 2.2.1. Моделирование эффектов в дифф-каскадах. 2.2.2. Влияние ИИ на шумовые характеристики. 5
3. Радиационные эффекты в ИОУ 3.1. Воздействие ИИ на параметры ИОУ. 3.2. Критериальные параметры. 3.3. Проектирование радиационно-стойких ИОУ. 3.4. Прогнозирование эффектов воздействия ИИИ на ИОУ. 3.5. Имитационные испытания. 3.6. Уменьшение ВПР электронной аппаратуры. 8
5. Список использованной литературы. 15
Список литературы
1. Агаханян Т.М., Аствацатурьян Е.Р., Скоробогатов П.К. Радиационные эффекты в интегральных микросхемах/Под ред. Т.М. Агаханяна. М.: Энергопромиздат, 1989.
2. Агаханян Т.М. Проектирование радиационно-стойких электронных усилителей на ИОУ
3. Оболенский С.В. Физико-топологическое моделирование характеристик субмикронных полевых транзисторов на арсениде галлия с учетом радиационных эффектов // Труды 3-го совещания по проекту НАТО SFP-973799 Semiconductors.// Нижний Новгород, 2003
4. Бойченко Д. В. , Никифоров А. Ю. Исследование влияния технологии на радиационную стойкость ОУ.// Радиационная стойкость электронных систем. Научно-технический сборник. 2000 / СПЭЛС
5. Агаханян Т.М. Схемотехнические способы повышения радиационной стойкости электронных усилителей на аналоговых микросхемах.// Микроэлектроника, 2004, том33, №3.
6. Агаханян Т.М., Никифоров А.Т. Прогнозирование эффектов воздействия импульсного ионизирующего излучения на операционные усилители.// Микроэлектроника, 2002, том 31, №31
7. Goddard Space Flight Center. TOTAL DOSE CHARACTERIZATION TESTS//