Возбуждение и ионизация, определение потенциалов ионизации и возбуждения газов методом электронной спектроскопии. Схема энергетических состояний атома газа. Отклоняющее напряжение и процессы столкновений. Схема энергетических уровней атомного ядра.
Аннотация к работе
Электроны окружают ядро атома не хаотично, а согласно определенному закону, именно они закономерно распределены по системе «оболочек», число которых доходит до 7 (таких оболочек у Н - одна; у Ar - 3 [рис.1], у Hg - 6 и у U - 7); эти оболочки при переходе от внутренних к внешним обозначаются буквами от К до Q (K-, L-, М-оболочки и т. д.). Эта модель дает лишь весьма грубое представление о действительных взаимосвязях, имеющих место в атоме, так как отдельные энергетические уровни в свою очередь подразделяются на подуровни, достаточно близко расположенные друг от друга.Таким образом, каждый электрон данного атома в каждой оболочке обладает определенной потенциальной энергией Еп. Если атому сообщить некоторое количество энергии извне, то электроны могут преодолеть силы притяжения ядра и перейти с внутренних оболочек на внешние с более высокой потенциальной энергией, которые остаются не занятыми, если к атому не подводится извне дополнительная энергия. 1 - испускание кванта света (с энергией hv); 2 - эмиссия электрона из K-оболочки при соударении с частицами; 3 - переход электрона с L-оболочки на K-оболочку с одновременным испусканием рентгеновского кванта (в результате отдачи энергии); 4 - испускание рентгеновского кванта; 5 - возбужденные уровни электронов на внешней электронной оболочке; 6 - соударение с частицами с энергией в несколько эв; 7 - соударение с частицами с энергией в несколько сот кэв (например, с электронами или квантами рентгеновского излучения). Для гелия (имеющего 2 электрона в первой двухэлектронной К-оболочке) потенциал ионизации равен Ui = 24,5 в; для водорода (имеющего один электрон в K-оболочке, обладающий прочной связью с ядром, благодаря близкому расположению от ядра) Ui = 13,5 в; для бария (имеющего два электрона в первой оболочке, 8 электронов во второй, по 18 электронов в третьей и четвертой и по 8 электронов в пятой и шестой оболочках) Ui = 5,2 в.
Список литературы
Достанко А.П. Технология интегральных схем.-Мн: Вышэйшая школа, 2002 - - 206 с.
Гурский Л.И., Степанец В.Я. Проектирование микросхем.-Мн.: Навука i тэхніка, 2001 - - 295 с.
Гурский Л.И., Зеленин В.А., Жебин А.П., Вахрин Г.Л. Структура, топология и свойства пленочных резисторов.-Мн.: Навука i тэхніка, 2007 - - 250 с.