Типы, основные параметры и принцип работы фотоприемника и полупроводникового индикатора. Спектральная чувствительность и эквивалентная электрическая схема фотодиодов. Определение длинноволновой границы фотоэффекта и фоточувствительности фотоприемника.
Аннотация к работе
Сибирский Государственный Университет Телекоммуникаций и Информатики Выполнила: студентка Поспелова Ольга ВладимировнаВ p-i-n структуре i-область заключена между двумя областями противоположного типа электропроводимости и имеет удельное сопротивление, в 106-107 раз больше, чем сопротивление легированных областей n-и р-типов. Дырки и электроны, появившиеся в i-области за счет поглощения излучения, быстро разделяются электрическим полем. Поскольку для каждого из этих переходов требуется некоторая минимальная энергия, характерная для данного материала, каждый тип фотоприемника имеет определенную длинноволновую границу определяемую формулой: , где , , . В p-i-n фотодиоде между областями с проводимостями р (база) и n (коллектор) расположен слой i (слой поглощения фотонов) собственной проводимости полупроводника (i - intrinsic). Эквивалентная электрическая схема фотодиода позволяет оценивать частотные свойства фотодетектора для электрических сигналов (рис 5).