Применение ионно-имплантированных структур при изготовлении полупроводниковых приборов. Использование импульсного фотонного отжига для устранения радиационных дефектов в имплантированных слоях. Особенности лазерного воздействия на монокристаллы GaAs.
Аннотация к работе
1. Ионная имплантация как метод легирования полупроводников 2. Механизмы импульсного фотонного отжига 3. Особенности отжига GaAs 4. Применение импульсных источников энергии для отжига ионно-легированных структур даёт ряд преимуществ по сравнению с традиционным термическим отжигом. Тем не менее, по сравнению с обычным термическим отжигом, процесс перестройки дефектной структуры происходит значительно быстрее (порядка десятка секунд), поэтому фотонный отжиг не сопровождается диффузным размыванием профиля имплантированной примеси.