Структура и принцип действия биполярного транзистора. Схема его включения и выключения с общей базой, общим эмиттером и коллектором. Температурные и частотные свойства транзистора. Анализ и расчет усилительного каскада по постоянному и переменному току.
Аннотация к работе
Министерство образования и науки Российской Федерации Бийский Технологический институт (филиал) федерального бюджетного учреждения высшего профессионального образованияВ зависимости от типа электропроводности крайних областей различают: транзисторы n-p-n структуры и транзисторы p-n-p структуры. Из схемы на рисунке 1.3 а видно, что переходы в транзисторе равноправны: каждый из переходов может находиться как в прямосмещенном, так и в обратносмещенном состояниях. В этой схеме усиления напряжения не может быть: схема дана без нагрузки и потенциал коллектора по переменной составляющей тока относительно базы ("условной земли") равен нулю: за счет конденсатора Сб сопротивление источника Ек по переменной составляющей тока равняется нулю. На вход транзистора поступает напряжение сложной формы Uэб (рисунок 2.6); с этого момента времени напряжение Uэб складывается из напряжения переменной ЭДС и напряжения источника смещения Есм. евх - генератор переменной ЭДС; Есм - источник напряжения смещения; Іэп, Ікп, Ібп - постоянные составляющие тока в схеме (токи покоя); іэ, ік, іб - переменные составляющие тока во входной и выходной цепях; Ек - напряжение питания коллекторной цепи; Uкб - напряжение на выходе транзистора; Uэб - напряжение на входе транзистора; Сб1, Сб2 - конденсаторы; Напряжение на входе Uэб уменьшится, инжекция уменьшается, ток во входной цепи іэ уменьшается, следовательно, уменьшается и ток в коллекторной цепи.В ходе выполнения данного курсового проекта были рассмотрены устройство и принцип действия биполярного транзистора. При проектировании усилительного каскада учитываются не только входные и выходные характеристики и рабочие частоты, но и режим работы транзистора.