Структурная схема усилителя. Распределение линейных искажений в области ВЧ. Расчёт выходного каскада. Расчёт полосы пропускания. Расчёт цепей термостабилизации. Расчёт входного каскада по постоянному току. Расчёт разделительных и блокировочных ёмкостей.
Аннотация к работе
..........................................................................................3 2.Техническое задание......................................................................5 3.Расчётная часть…...........................................................................6 3.1 Структурная схема усилителя...........................................…..6 3.2 Распределение линейных искажений в области ВЧ ........….6 3.3 Расчёт выходного каскада……………………………............6 3.3.1 Выбор рабочей точки..................................................6 3.3.2 Выбор транзистора.....................................................10 3.3.3 Расчёт эквивалентной схемы транзистора………...10 3.3.4 Расчёт полосы пропускания…….…………….........14 3.3.5 Расчёт цепей термостабилизации…………….........15 3.4 Расчёт входного каскада по постоянному току.……………………………….............21 3.4.1 Выбор рабочей точки……………………….............21 3.4.2 Выбор транзистора………………………….............21 3.4.3 Расчет сопротивления обратной связи во входном каскаде…………………………………….22 3.4.4 Расчёт эквивалентной схемы транзистора………………………………….............23 3.4.5 Расчет полосы пропускания………………………..24 3.4.6 Расчёт цепей термостабилизации.…………............25 3.5 Расчёт разделительных и блокировочных ёмкостей……………………………………………...............26 4 Заключение…………………………………………….…………29 Список использованных источников………………………………………..30 Приложение А Схема принципиальная……………………………………..31 РТФ КП.468740.001 ПЗ. Для компенсации завала АЧХ в области верхних частот при применении резистивного каскада пришлось бы ставить в цепи коллектора очень малое сопротивление порядка 6 [Ом], для уменьшения общего выходного сопротивления каскада, что естественно привело бы к увеличению тока в цепи коллектора и рассеваемой мощности, а соответственно и к выбору более дорогого по всем параметрам транзистора.