Исследование эффекта униполярного резистивного переключения в оксидах переходных металлов. Создание сэндвич структур на их основе с реализацией эффекта энергонезависимой памяти, оценка работоспособности. Механизм и модель резистивного переключения.
Аннотация к работе
Униполярное резистивное переключение в структурах на основе оксидов ниобия, тантала и цирконияАктуальность темы исследования: В диссертации исследуется эффект униполярного резистивного переключения в оксидах Nb2O5, Ta2O5, ZRO2. В настоящее время эффект резистивного переключения привлекает значительное внимание в связи с возможностью его применения в микросхемах электронной памяти RERAM (Resistive Random Access Memory) [1-3]. Однако, несмотря на такое разнообразие разрабатываемых видов памяти, описанные технологии обладают рядом недостатков, не позволяющих отдельной технологии стать лидирующей в области электронной памяти и получить повсеместное применение. Данная работа посвящена другому типу устройств электронной памяти - резистивной памяти (Resistive Random Access Memory - RERAM). Эффект униполярного резистивного переключения с памятью в структурах металл - оксид - металл на основе анодных оксидов ниобия, тантала и циркония обусловлен образованием наноразмерного металлического (ниобий, тантал или цирконий) проводящего канала в матрице оксида в процессе его электрической формовки.