Классификация, схемы включения и характеристики транзисторов. Рассмотрение показателей, характеризирующих схемы включения транзистора. Физические принципы работы биполярного транзистора. Оценка энергетической эффективности ключевого режима транзисторов.
Аннотация к работе
ТранзисторыОбласть, имеющая меньшую площадь p-n перехода, и вывод от нее называют эмиттером. p-n переход между коллектором и базой называют коллекторным переходом, а между эмиттером и базой - эмиттерным переходом. 1) Схема включения с общей базой ОБ: Любая схема включения транзистора характеризуется двумя основными показателями: - коэффициент усиления по току Івых/Івх (для схемы с общей базой Входное сопротивление для схемы с общей базой мало и составляет десятки Ом, так как входная цепь транзистора при этом представляет собой открытый эмиттерный переход транзистора. Напряжение на базе не зависит от напряжения на коллекторе и слабо зависит от тока базы. -Режим насыщения - это режим, когда оба перехода - и эмиттерный, и коллекторный открыты, в транзисторе происходит свободный переход носителей зарядов, ток базы будет максимальный, ток коллектора будет равен току коллектора насыщения.