Одержання ортонормованого функціонального базису, придатного для будь-яких мiжатомних відстаней у конденсованої системі. Розробка теорії розрахунку енергетичного спектру і енергії кристалу, позбавленої наближень, що не контролюються при високих тисках.
Аннотация к работе
НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ Автореферат дисертації на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наукРозвинуто мікроскопічний підхід до розрахунку звязаних станів і повної енергії ізолятора на основі наближення Хартри-фока в базисі атомних орбіталей, точно ортогоналізованих на різних вузлах кристалу. Розвинуто кластерний розклад по групам атомів для розрахунку заповнених зон. Для розрахунку зон провідності модифіковано метод ортогоналізованих плоских хвиль шляхом використання блохівських функцій і енергій електронів заповнених зон. Без підгінних параметрів розраховано зонну структуру кристалічного неону в широкому інтервалі тиску. Развит микроскопический подход к расчету связанных состояний и полной энергии изолятора на основе приближения Хартри-Фока в базисе атомных орбиталей, точно ортогонализованных на разных узлах кристалла.Особливий інтерес викликає дослідження властивостей і металізації стиснутих кристалів інертних газів (атомарних кріокристалів), оскільки вони знаходять широке застосування як середовища, що передають тиск в експериментальних настановах, а також є зручними обєктами для розробки і налагодження нових розрахункових засобів. До таких проблем відносяться викликані тиском фазові переходи, що обмежують вибір матеріалів для експериментальних настанов (в тому числі і металізація, котра визначається як обертання в нуль забороненої щілини в енергетичному спектрі ізолятора). Однак всі вони були первісно призначені (і чисельно вивірені при нульовому стиску) для двох граничних випадків: або для випадку добре локалізованих (звязаних) електронів у кристалі, або для слабонеоднорідного газу колективізованих електронів. Все вищезгадане свідчить про актуальність проблеми побудови первопринципної мікроскопічної теорії і розрахунку зонної структури та енергії кристалу, строго обгрунтованих для довільного електронного розподілу і придатних при великих стисках. на основі отриманого базису розробка теорії розрахунку енергетичного спектру і енергії кристалу, позбавленої наближень, що не контролюються при високих тисках;При великих стисках кристалу виникає проблема вибору функціонального базису для розрахунку зонної структури. Для розрахунку заповнених зон ізолятора широко використовується базис хвильових функцій jls =?lsn електронів ізольованих атомів (атомних орбіталей), центрованих на вузлах l гратки кристалу. Тому обсяг розрахунків росте зі збільшенням порядку матриці, і точна ортогоналізація по Льовдину (1) для нескінченного кристалу технічно не може бути здійснена. Частіше усього обмежуються першим порядком по S, але це наближення справедливо у випадку малих S, тобто при невеликих стисках кристалу. Кластерний розклад Абаренкова-Антонової уперше був запропонований в [6] для електронної густини кристалу.