Использование изопланарного процесса для изготовления полупроводниковых интегральных микросистем. Характеристика изопланарной, эпипланарной и полипланарной технологий. Понятие межэлементной диэлектрической изоляции. Показатели, характеризующие эпитаксию.
Аннотация к работе
изопланарный полупроводниковый интегральный эпитаксия В основу изготовления полупроводниковых биполярных ИМС с комбинированной изоляцией положены процессы, обеспечивающие формирование элементов с изоляцией p-n переходами их горизонтальных участков и диэлектриком - вертикальных боковых областей .Частичная замена диодной изоляции диэлектрической в комбинированных методах изоляции позволяет снизить паразитные ёмкости и рассеиваемую мощность , увеличить быстродействие и пробивные напряжения , уменьшить геометрические размеры активных элементов ИС. Диэлектрическая изоляция разделяет эпитаксиальный слой , а от подложки изоляция обеспечивается p-n переходом . ОЧИСТКА ПОВЕРХНОСТИ H2O2 , NH4OH, H2O, 15мин, 25°C ВЫРАЩИВАНИЕ n-ЭПИТАКСИАЛЬНОГО СЛОЯ . [ SiCl4 H2 AsH3 ] а) ГАЗОВОЕ ТРАВЛЕНИЕ С ПОМОЩЬЮ HCl НА 1-2 МКМ, ПРОДУВКА H2 б) СНИЖЕНИЕ Т ДО РАБОЧЕГО ЗНАЧЕНИЯ,ПОДАЧА СМЕСИ , ПРОДУВКА H2 в) ПОДАЧА СМЕСИ CO2 , SiCl4 , H2 И ОСАЖДЕНИЕ ОКИСНОЙ ПЛЁНКИ , ПРОДУВКА H2 г) ОХЛАЖДЕНИЕ В ПОТОКЕ H2 д) ПРОДУВКА N2 , РАЗГЕРМЕТИЗАЦИЯ , ВЫГРУЗКА е) КОНТРОЛЬ dэп , rэп , ПРОФИЛЕЙ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ,Nду ХЛОРИДНЫЙ ПРОЦЕСС , T=1150°C , dэс=2,5 мкм , rэс=1 ОМ *см ОКИСЛЕНИЕ ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ПЛЁНКИ КОНТРОЛЬ ТОЛЩИНЫ ОКИСЛА T=1100°C , X=60 нм , 40 мин , сухой O2 ОСАЖДЕНИЕ Si3N4 ИЗ ПГС КОНТРОЛЬ ТОЛЩИНЫ СЛОЯ Si3N4 SiH4 NH3 , T=750°C, XN=0,4 мкм 16. УДАЛЕНИЕ SiNO ПЛАВИКОВОЙ К-ТОЙ , КОНТРОЛЬ ПАРАМЕТРОВ 25.