Топология и элементы МОП-транзистора с диодом Шоттки. Последовательность технологических операций его производства. Разработка технологического процесса изготовления полупроводниковых интегральных схем. Характеристика используемых материалов и реактивов.
Аннотация к работе
1. аналитический обзор 2. Технологическая часть 2.1 Описание технологического процесса 2.2 Выбор класса производственных помещений 2.3 Основные материалы и реактивы 2.4 Основные технологические операции 2.4.1 Очистка подложки 2.4.2 Термическое окисление 2.4.3 Литографические процессы 2.4.4 Ионная имплантация 2.4.5 Металлизация 2.4.6 Межслойная изоляция 3. инженерно - экономические расчеты Заключение Список использованных источников Введение Технология интегральных схем, развиваясь исключительно быстрыми темпами, достигла немыслимых успехов. Применяемые при изготовлении полупроводниковых интегральных микросхем (ИМС) технологические процессы носят групповой характер, т.е. одновременно изготавливается большое количество ИМС. Целью данного проекта является изучение современных технологических приемов в производстве изделий твердотельной электроники и разработка сквозного технологического процесса изготовления МДП-транзистора с диодом Шоттки. транзистор интегральный схема 1. Аналитический обзор Полевой транзистор с изолированным затвором - это полевой транзистор, затвор которого отделен в электрическом отношении от канала слоем диэлектрика. Рисунок 1 - Топология и основные элементы МОП-транзистора Технология изготовление МОП-ИМС занимает доминирующее положение среди процессов изготовления полупроводниковых ИМС.