Технология изготовления платы фильтра. Методы формирования конфигурации проводящего, резистивного и диэлектрического слоя. Выбор установки его напыления. Расчет точности пленочных элементов микросхем и режимов изготовления тонкопленочных резисторов.
Аннотация к работе
Интегральной микросхемой (ИМС) называется микроэлектронное изделие, имеющее высокую плотность упаковки элементов соединений между ними, при этом все элементы выполнены нераздельно и электрически соединены между собой таким образом, чтобы с точки зрения испытаний, поставки и эксплуатации изделие рассматривалось как единое целое. Гибридная пленочная интегральная микросхема - ИМС, которая наряду с пленочными элементами, полученными с помощью интегральной технологии, содержит компоненты, имеющие самостоятельное конструктивное оформление. В зависимости от метода нанесения пленочных элементов на подложку различают тонкопленочные (напыление в вакууме) и толстопленочные (трафаретная печать) гибридные ИМС. Сопротивление резисторов вычисляем по формуле: R1=3000 Ом/?•50 мм/9 мм=16666,67 Ом R2=3000 Ом/?•6 мм/11 мм=1636 Ом Сопротивления для R1,R2 входят в допустимый интервал ±5%, следовательно, ?кв и размеры резисторов подобраны верно. Для формирования конфигурации проводящего, резистивного и диэлектрического слоя используют различные методы: - масочный: соответствующий материал напыляют на подложку через съемную или контактную маску; - фотолитографический: пленка наносится на всю поверхность подложки, а затем избирательно стравливается с отдельными (лишними) участками; - комбинированный: когда совмещаются масочный и фотолитографический метод.