Сутність технології GаАs: особливості арсеніду галію і процес вирощування об"ємних монокристалів. Загальна характеристика молекулярно-променевої епітаксії, яка потрібна для отримання плівок складних напівпровідникових з’єднань. Розвиток технологій GаАs.
Аннотация к работе
Зміст арсенід галій променева епітаксія плівка Вступ 1. Технологія GаАs 1.1 Арсенід галію 1.2 Вирощування обємних монокристалів 2. Молекулярно-променева епітаксія 2.1МПЕ 2.2Схема установки для отримання плівок 3. Широка заборонена зона дозволяє також шляхом уведення глибоких енергетичних рівнів одержувати напівізолюючий арсенід галію, використовуваний як підкладки в епітаксіальних приладах. Зонна структура арсеніду галію така, що в центральному мінімумі зони провідності можливі ефективна пряма випромінювальна рекомбінація й у результаті зіткнення електронів у субзонах малої рухливості можуть виникати коливання СВЧ. Для створених за останнім часом арсенідогалієвих приладів, таких, як генератори Ганна і канальні транзистори з переходом, потрібні тонкі плівки напівпровідникового матеріалу з питомим опором від 0,3 до 3 ом • см, вільного від глибоких домішкових рівнів [1]. Широко використовується для створення напівпровідникових пристроїв, багатошарових структур, квантових точок, дротин й ям.Належить до класу інтерметалічних сполук елементів ІІІ і V груп періодичної системи елементів, скорочено - сполуки AIIIBV (англ. У рідкому стані при високих температурах Gа реагує з кварцом, що приводить до появи домішок у GаАs, вирощеному в кварцових тиглях. Арсенід галію отримують, сплавляючи чисті арсен (As) і галій (Ga) у кварцевій колбі при температурі близько 1240° C при тиску пари близько 1000 ГПа. Нарешті, у процесі затвердіння GаAs розширюється, що може привести до виникнення великих напруг у кристалі під дією стінок тигля Існують два основних методи вирощування обємних монокристалів: витягування з розплаву (метод Чохральского) і контейнерна зонна плавка. У 1964 р. (R.B. Schoolar, J.N. Zemel) [2] за допомогою молекулярних пучків були одержані досконалі епітаксійні плівки PbS на монокристалічній підкладці NaCl.