Структура полупроводниковых материалов. Энергетические уровни и зоны. Электро- и примесная проводимость полупроводников. Виды движения носителей. Свойства электронно-дырочного перехода. Электропроводимость полупроводников в сильных электрических полях.
Аннотация к работе
Экзаменационный реферат По микроэлектронике Содержание 1. Структура полупроводниковых материалов 2. Энергетические уровни и зоны 3. Электронно-дырочный переход 7 Свойства электронно-дырочного перехода 8. Электропроводимость полупроводников в сильных электрических полях 9. Структура полупроводниковых материалов К полупроводниковым материалам относятся большое количество веществ и элементов, которые по своим электрическим свойствам занимают промежуточное положение между проводниками и диэлектриками. Величина удельной электрической проводимости полупроводников может принимать значение в пределах равной 10-10 - 104 1/(Ом·см), (удельная электрическая проводимость проводников 104 - 105 1/(Ом·см), а диэлектриков меньше 10-10 1/(Ом·см)). Они образуются валентными электронами, которые взаимодействуют не только с ядром атома, но и с соседними. Кристаллическая решётка, в которой каждый электрон внешней орбиты связан ковалентными связями с остальными атомами вещества, является идеальной. Уровни энергии, которые не могут иметь электроны при переходе с одной орбиты на другую, называются запрещёнными. Электроны, расположенные ближе к ядру атома, обладают меньшими энергиями, т.е. находятся на более низких энергетических уровнях, а удалённые от ядра электроны обладают большими энергиями, т.е. находятся на более высоких энергетических уровнях. Эти уровни составляют зону проводимости.