Общее устройство и основные структурные элементы полупроводникового диода. Сравнительная оценка вольт-амперных характеристик кремниевого и германиевого диодов. Дифференциальные параметры полупроводникового диода, его предельно допустимая температура.
Аннотация к работе
Статический режим полупроводникового диодаПолупроводниковым, диодом называется двухэлектродный прибор, основу которого составляет р-n-структура, состоящая из областей р-типа и n-типа, разделенных электронно-дырочным переходом (рис. База и эмиттер с помощью электродов Э, образующих омические переходы, соединяются с металлическими выводами В, посредством которых диод включается в электрическую цепь. Основным структурным элементом полупроводникового диода, определяющим его функциональные свойства, является р-n-переход - тонкий промежуточный слой между р-n-областями, свойства которого были рассмотрены в 1.4. Но при больших прямых токах, а также при высоких обратных напряжениях характеристики расходятся, статические вольт-амперные характеристики диода что является следствием ряда причин, не учтенных при теоретическом анализе процессов в электронно-дырочном переходе. В области больших прямых токов вследствие значительного падения напряжения на распределенном сопротивлении базы диода и сопротивлении электродов напряжение на электронно-дырочном переходе будет меньше напряжения U, приложенного к диоду, в результате чего реальная характеристика оказывается расположенной ниже теоретической и почти линейной.