Исследование возможностей оптимизации одномерного Рамановского усилителя оптических сигналов для увеличения коэффициента усиления проходящих и отраженных сигналов. Осуществление проверки эффективности увеличения активной среды фотонных кристаллов.
Аннотация к работе
Сравнение параметров Рамановского усиления в фотонных кристаллах разной конфигурацииИсследуется возможность оптимизации одномерного Рамановского усилителя оптических сигналов для увеличения коэфициента усиления проходящих и отраженных сигналов. Усилитель представляет собой набор периодически чередующихся пассивных диэлектрических и активных металлических слоев. Фотонные кристаллы (ФК) - периодические диэлектрические или металлодиэлектрические структуры, обладающие набором уникальных свойств, например, локализация фотонов, наличие фотонной запрещенной зоны (ФЗЗ). Комбинационное рассеяние света или эффект Рамана - неупругое рассеяние оптического излучения на молекулах Данный эффект проявляется в некоторых диэлектриках с природной частотно дисперсионной (ПЧД) средой. Целью данной работы явилось выявление оптимальных параметров ФК для получения максимального усиления, а также проверка эффективности увеличения активной среды ФК путем замены пассивных слоев структуры на активные. фотонный кристалл рамановский усилительВ дополнение исследовались случаи, когда пассивные слои заменены на активные в центре и на краю структуры. Положение ФЗЗ в структуре определяет процесс вынужденного Рамановского рассеяния, поэтому в первую очередь было проанализировано наличие смещения ФЗЗ в случае замены части пассивных слоев активными. 1 Зависимость коэффициента отражения от частоты для ФК (сплошная), ФК с замененными в середине слоями (пунктирная), ФК с замененными на краю структуры слоями (точками) На рис.1 представлены зависимости коэффициента отражения от частоты для рассмотренных структур в области ФЗЗ.