Учёт энергозависимости эффективной массы горячих носителей в объёме полупроводников для различных случаев дисперсии. Классическое отклонение дисперсии от квадратичного закона, зависимость m(W), связанная с двухдолинным представлением полупроводников.
Аннотация к работе
Способы учета энергозависимости эффективной массы горячих носителей в объеме полупроводников типа AIIIBV для различных случаев дисперсииПроанализированы классическое отклонение дисперсии от квадратичного закона, кейновское отклонение дисперсии от квадратичного закона и зависимость m(W), связанная с двухдолинным представлением полупроводников типа AIIIBV. При исследовании механизмов нелинейности твердотельной плазмы, проявляющейся в сильных электрических полях (напряженность которых в объеме некоторых полупроводников соизмерима с напряженностью порогового поля эффекта Ганна), наиболее важным является вопрос об отклонении дисперсионной характеристики от квадратичного закона, которую можно учесть путем ввода зависимости эффективной массы m носителей от их средней энергии W [1, 2]. Этот эффект записывается соотношением [2]: , (1) где m0 - эффективная масса при энергии W=W0; - полная ширина разрешенных значений W в ЗП при движении вдоль одной из осей. Если в соотношение (3) в качестве мн подставить величину m определяемую из (4), а в качестве мв соответствующую m, также определяемую из (4) для верхней долины (т.е. заменив в (4) m0 = мв - эффективная масса дна боковой долины, W0 = Wб, - расстояние от дна боковой долины до вершины основной зоны, - ширина зоны проводимости боковой долины (для GAAS: = 1,76 ЭВ; = 2 ЭВ)), то получившийся при этом закон будет учитывать все три представленных эффекта изменения эффективной массы от энергии: m = Энергетические зависимости нормированной эффективной массы для основной долины GAAS (график 1, уравнение (4)), боковой долины (график 2, уравнение (4)) и суммарная, учитывающая междолинный переход (график 3, уравнение (5)).