Комплексне дослідження локальної структури, ступеня та типу впорядкування невпорядкованих сегнетоелектриків та їх твердих розчинів. Діелектричні властивості твердого розчину релаксорних сегнетоелектриків. Вивчення особливостей поведінки домішкових іонів.
Аннотация к работе
Національна академія наук України Автореферат дисертації на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наукЗ аналізу особливостей форми лінії та виду спектру ЯМР 93Nb в PBMG1/3Nb2/3O3 показано відсутність впорядкування іонів типу 1:1 і збагачених ніобієм областей; виявлено існування мікрорегіонів з впорядкуванням іонів типу 1:2. Проаналізовано форму лінії ЯМР 93Nb в КТАО3:1.2%Nb та вивчено поведінку домішки ніобію як таку, що обумовлена динамікою пружного моменту, і показано відсутність локального фазового переходу ніобію в нецентральне положення. Вперше показано впорядкування твердого розчину релаксорних сегнетоелектриків XPBMG1/3Nb2/3O3-(1-x)PBSC1/2Nb1/2O3 при х » 0.5 методами ЯМР та діелектричної спектроскопії. The absence of the ion ordering 1:1 and niobium-rich regions have been shown in PBMG1/3Nb2/3O3 by analysing NMR line shape peculiarities and NMR spectra; the existence of microregions with ion ordering 1:2 was revealed. The local structure of solid solution of relaxor ferroelectrics XPMN-(1-x)PSN have been studied and was shown its ordering at x»0.5 by NMR and dielectric spectroscopy methods.Багато понять та уявлень фізики твердого тіла дістали значного розвитку у звязку із вивченням сегнетоелектриків (роль динаміки кристалічної гратки у фазових переходах, вплив ангармонізму потенціалу кристалічної гратки на фазові перетворення та інші). Завдяки цілому комплексу унікальних фізико-хімічних властивостей сегнетоелектрики та подібні їм матеріали знаходять широке застосування в електронній техниці, приладобудуванні, в оптоелектронних та акустоелектронних приладах, в лазерній техниці, гідроакустиці, а також для запису, зберігання та обробки інформації. В останні роки велика увага приділяється вивченню невпорядкованих сегнетоелектриків, до числа яких відносять як матеріали з іонною невпорядкованістю, так і кристали, що містять домішки та різного роду дефекти. Зокрема на відміну від сегнетоелектриків з ідеальною структурою, де спостерігається чітка аномалія усіх властивостей в точці фазового переходу, фазовий перехід в невпорядкованих сегнетоелектриках розмитий в широкому температурному інтервалі. У вузькому проміжному інтервалі температур між парата антисегнетоелектричними фазами може існувати сегнетоелектрича або, по іншим дослідженням, змішана фаза.