Силові IGBT і MOSFET транзистори - Реферат

бесплатно 0
4.5 50
Особливості застосування силових транзисторів IGBT і MOSFET, які стали основними елементами, вживаними в могутніх імпульсних перетворювачах. Технічні характеристики драйверів для захисту від перевантажень: драйвер трьохфазного моста та нижнього плеча.


Аннотация к работе
СИЛОВІ IGBT і MOSFET ТРАНЗИСТОРИ Вступ Силові транзистори IGBT і MOSFET стали основними елементами, вживаними в могутніх імпульсних перетворювачах. В даний час ряд фірм, таких як International Rectifier, Hewlett-Packard, Motorola, випускає широку гамму пристроїв, що управляють одиночними транзисторами, напівмостами і мостами - двух- і трифазними. Для кращого розуміння роботи схеми захисту необхідно проаналізувати поведінку силових транзисторів в режимі короткого замикання (або КЗ - звична для розробників абревіатура). Структура драйвера IR2125 На рисунку 4 приведена структурна схема, а на рисунку 5 - типова схема підключення драйвера IR2125 з використанням функції захисту від перевантаження.
Заказать написание новой работы



Дисциплины научных работ



Хотите, перезвоним вам?