Выбор и обоснование структурной схемы широкополосного предварительного усилителя. Расчет оконечных каскадов тракта и номиналов конденсаторов. Входной, промежуточный усилительный и дифференциальный каскады. Выбор режимов покоя транзисторов в каскадах.
Аннотация к работе
Выбор и обоснование структурной схемы широкополосного предварительного усилителя Расчет оконечных каскадов тракта Входной, промежуточный усилительный и дифференциальный каскады Выбор режимов покоя транзисторов в каскадах предварительного усиления и расчет номиналов резисторов, обеспечивающих эти режимы Расчет номиналов конденсаторов Список использованной литературы Проектное задание Задание на курсовой проект представляет собой технические условия, по которым надлежит спроектировать тракт предварительного усиления широкополосного усилителя на транзисторах. номинальная выходное сопротивлениеU2,номинальное выходное сопротивление Rвых, сопротивление нагрузкиR2,допустимый коэффициент гармоник КГF, рабочий диапазон частот [fH; fв], амплитуда тока источника сигнала Im1,емкость источника сигнала C1,относительная нестабильность коэффициента усиления Gв дБ, внутреннее сопротивление источника сигнала R1,рабочий диапазон значений температуры [tcmin, tcmax], напряжение источника питания Е0,для всех вариантов tcmin = 50С - минимальная температура окружающей среды, fн = 50 Гц - нижняя частота ДРЧ. P2, мВт R2, Ом Rвых, Ом fв, МГц kГF,% E0, B tсmax C 14 300 300 7.5 0.3 ± 18 45 Im1, мкА R1, кОм С1, пФ fв, МГц kГF,% E0, B tсmax C 0.11 470 6 1.37 0.3 ± 18 45 Введение Содержанием курсового проекта является проектирование широкополосного усилителя (ШПУ). Тем самым, исключается дополнительный набег фазы в низкочастотной части этого диапазона и устраняется возможность самовозбуждения каскадов усилителя, охваченных петлей общей отрицательной обратной связи (ООС), обеспечивающей заданные ТЗ высокие показатели качества усиления. Последняя реализуется введением корректирующих элементов в выходную цепь активного прибора (частотно - зависимая нагрузка) или/и введением частотно-зависимой отрицательной обратной связи (эмиттерная ВЧК). Для этого, в условиях значительного технологического разброса параметров транзисторов и действия внешних факторов, дестабилизирующих их токи покоя, каждый из каскадов тракта охвачен петлей местной гальванической и для сигнала ООС - последовательной по току (Rэ4 и Rэ4 Rэ4 для V4) и 100% - ной последовательной по напряжению (Rэ5 и Rэ5 || (2 Ч R2) для V5), соответственно каскады на транзисторах VI, V2 и V3 образуют тракт предварительного усиления, обеспечивающим требуемое отношение с/ш и формирование в заданном диапазоне рабочих частот выходного напряжения, достаточного для эффективного возбуждения тракта усиления мощности.