Властивості напівпровідникового матеріалу в транзисторах Шотткі. Структура, принцип дії польових транзисторів із затвором. Підсилювачі потужності, генератори. Електрофізичні параметри елементів приладу. Розрахунок напруги відсікання і насичення.
Структуру польового транзистора із затвором Шотткі на арсеніді галію зображено на рис. Заміна рпереходу затвора випрямним контактом метал-напівпровідпик дає змогу виключити з технологічних операцій створення транзистора дифузією і виготовляти прилади з каналом завдовжки 0,25-1,0 мкм. Оскільки зміну провідності каналу між витоком і стоком можна регулювати під час прикладення до затвора керуючої напруги малої потужності, то польовий транзистор з затвором Шоткі може бути використаний як підсилювач і як ключ. Збільшення товщини збідненого шару при Uз=0 пояснюється тим, що за збільшення струму стоку із зростанням напруги на стоці спад напруги в каналі (ICR) зростає в міру віддалення від витоку, в результаті чого підвищується зворотне зміщення на затворі рівномірно від точки y=0 до точки y =L. Подальші дослідження привели до створення польових транзисторів із двома затворами, які (рис.4) у порівнянні з однозатворними транзисторами мають підвищену функціональну здатність і менше значення зворотного звязку (збільшуючого коефіцієнта підсилення по потужності й коефіцієнт стійкості), але більший коефіцієнт шуму.Для виготовлення ПТШ використовують переважно арсенід галію, оскільки цей напівпровідниковий матеріал знайшов найбільш широке застосування для виготовлення дискретних ПТШ і інтегральних схем на його основі.
Вывод
Для виготовлення ПТШ використовують переважно арсенід галію, оскільки цей напівпровідниковий матеріал знайшов найбільш широке застосування для виготовлення дискретних ПТШ і інтегральних схем на його основі.
На даній курсовій роботі дослідили структуру польового транзистора із затвором Шотткі, його конструктивні особливості і застосування. Розраховано основні електричні параметри (опір повністю відкритого каналу Rk0=15,625 Ом; напругу відсікання Uвідс= 5,435·10-3 (В); напругу на стоці
Uc.нас=-5,435·10-3 (В) за якої струм стоку досягає насичення); розраховано барєрну ємність Сб=1,147·10-7 (Ф/см2) та побудовано вольт-ємнісну характеристику барєра Шотткі; розраховано сімю вихідних статичних вольтамперних характеристик та крутість характеристик в режимі насичення, побудовано графіки цих залежностей.
Список литературы
1. Дружинін А.О. Твердотільна електроніка. Фізичні основи і властивості напівпровідникових приладів: Навч. посібник. - Львів: Видавництво Національного університету „Львівська політехніка”, 2009. - 332 с.
2. Дружинін А.О. Розрахунок і проектування польових транзисторів: Методичні вказівки до виконання курсової роботи з курсу "Фізика польових напівпровідникових приладів і компонентів МОН ІС" - Львів: Видавництво Національного Університету "Львівська Політехніка", 2006.- 40 с.
3. Молчанов В.І., Кобак М.М., Татарчук Д.Д. Методичні вказівки до виконання лабораторної роботи з курсу „Мікроелектроніка надвисоких частот” - Київ: Видавництво „Політехніка”, 2007. - 41 с.
4. М.А. Філинюк, О.М. Куземко, Л.Б. Ліщинська. Інформаційні пристрої на основі потенційно-нестійких багатоелектродних напівпровідникових структур Шотткі : Монографія - Вінниця: ВНТУ, 2009. - 274 с. транзистор затвор шотткі генератор
Размещено на .ru
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
