Принципова відмінність польових транзисторів від біполярних. Фізичні фактори,відповідальні за нелінійність ВАХ. Опір ділянки кола стік-витік транзистора у відкритому стані при концентрації донорів в каналі Nd.
Аннотация к работе
Такі транзистори мають менший вхідний опір порівняно з МДН-транзисторами, однак він є набагато більшим від вхідного опору біполярного транзистора. Розрізняють польові транзистори з керуючим р-n-переходом як прилади з каналом р-або n-типу провідності. Польові транзистори з керуючим р-n-переходом перш за все використовуються в підсилювальному режимі. Основною відмінністю польових транзисторів від біполярних є те що польові транзистори є уніполярними приладами,тобто в переносі заряду бере участь лише один вид носіїв, тому відсутні процеси інжекції і екстракції, що покращує їх частотні властивості. Зворотня напруга на р -n-переході затвора змінюється вздовж каналу, досягаючи максимального значення в кінці каналу біля стоку і дорівнює сумі напруг на стоці і на затворі.В цій курсовій роботі я дослідив ВАХ польового транзистора з керуючим р-n- переходом, розрахував опір каналу, що становить R.k0=70,49 (Ом), ширину ОПЗ dn=56.05*10-9 (м), напругу відсікання UBID= 101,9 (B), барєрну ємність Cb = 38,52*10-15 (ф), максимальну робочу частоту транзистора fi=1,32·109 (Гц).
Вывод
В цій курсовій роботі я дослідив ВАХ польового транзистора з керуючим р-n- переходом, розрахував опір каналу, що становить R.k0=70,49 (Ом), ширину ОПЗ dn=56.05*10-9 (м), напругу відсікання UBID= 101,9 (B), барєрну ємність Cb = 38,52*10-15 (ф), максимальну робочу частоту транзистора fi=1,32·109 (Гц).
Список литературы
1. Дружинін А.О. “Твердотільна електроніка. Фізичні основи і властивості напівпровідникових приладів”, 2001р., Львів, 223 ст.
2. Дулін В. Н.”Электронные приборы”,1997р.,Москва «Энергия»,344 ст.
3. Пасинков В.В. “Полупроводниковые приборы”, підручник, 1987р., Москва “Высшая школа”,301ст.