Результаты проектирования и экспериментального исследования монолитного малошумящего усилителя диапазона частот 30–37,5 ГГц на GaAs рНЕМТ-гетероструктурах. Сущность методики проектирования транзисторных усилителей на основе гетероструктурной технологии.
Аннотация к работе
Разработка монолитного малошумящего усилителя диапазона частот 30-37,5 ГГЦ на GAAS РНЕМТ-гетероструктурах Разработка выполнена с применением методики и программ визуального проектирования СВЧ транзисторных усилителей.Повышение частотного диапазона СВЧ-устройств имеет массу преимуществ, так как позволяет уменьшить мощность, излучаемую передатчиком, повысить плотность канала передачи информации, снизить энергетические и массогабаритные параметры системы в целом и др. Усилитель выполнен в виде монолитной интегральной микросхемы (МИС) на основе отечественной 0,15 мкм GAAS PHEMT-технологии Института СВЧ полупроводниковой электроники РАН (ИСВЧПЭ РАН), г. 1 приведены требования, предъявляемые к характеристикам МШУ. В МШУ используется PHEMT-транзистор с шириной затвора 4?30 мкм, который на частоте 35 ГГЦ имеет минимальный коэффициент шума около Fmin ? 1,5 ДБ и соответствующий коэффициент усиления по мощности Gass? 6 ДБ (Vgs=0 В, Vd=2,5 В, Id=25-30 МА).