Выбор комплектующих элементов, материалов и покрытий для усилителя СВЧ-сигнала. Разработка электрической принципиальной схемы устройства. Разработка конструкции микрополосковой платы и тонкопленочной микросборки. Определение теплового режима микромодуля.
Аннотация к работе
На тему: Разработка конструкции модуля СВЧ на микросхеме HMC716LP3Е.Одним из ключевых моментов, определившим современный уровень развития радиоэлектроники является смещение несущей частоты радиосигналов в область сверхвысоких частот. Повышение несущей частоты радиосигнала было связано, прежде всего, с перегруженностью низкочастотной области спектра, а также с необходимостью резкого увеличения емкости каналов связи и скорости передачи информации. Развитие интегральной технологии сделало возможным выполнение отдельных элементов и целых функционально законченных узлов как цифровой, так и высокочастотной частей устройства в виде малогабаритных интегральных схем. Использование трехмерной конструкции позволяет создавать миниатюрные структуры с высокой степенью интеграции и открывает широкие возможности для улучшения электродинамических, массогабаритных, климатических, экономических и других параметров.Напряжение питания 8…15 В HMC716LP3(E) идеально подходит для: - фиксированной беспроводной связи и LTE/WIMAX/4G; повторителей (рентрасляторы сотовой связи) и фемтосот (маломощная и миниатюрная станция сотовой связи); В HMC716LP3(E) - GAAS PHEMT MMIC (GAAS - монолитная интегральная микросхема на псевдоморфных транзисторах с высокой подвижностью электронов) - малошумящий усилитель, который идеально подходит для интерфейсных операционных приемников базовых станций фиксированной беспроводной связи LTE/WIMAX/4G между 3.1 ГГЦ и 3.9 ГГЦ. Усилитель был оптимизирован для обеспечения коэффициента шума в 1ДБ, коэффициента усиления 18ДБ и 33ДБМВ IP3 при напряжении питания 5В.(1) Uпит.= 5В, Rсмещ.= 820 Ом (2) Uпит.= 3В, Rсмещ.= 47 КОМ (1) Uпит.= 5В, Rсмещ.= 820 Ом (2) Uпит.= 3В, Rсмещ.= 47 КОМ (3) Rсмещ.= 820 Ом при Uпит.= 5В, Rсмещ.= 47 КОМ при Uпит.= 3В Uпит, В Rсмещения, Ом Іпот, МА min max рекомендованное (1) С Uпит = 3 В и Rсмещения <2KOM, могут привести к части, становящейся условно устойчивыми, который не рекомендуется.Рассчитаем необходимое количество каскадов. где Кр - температурный коэффициент усиления; Округляем в большую сторону до 3 каскадов. Для ограничения диапазона рабочих частот от 3,2 ГГЦ до 3,8 ГГЦ в конструкции модуля применены керамические фильтры Z1 и Z2.Вычисляем сопротивление резистора: Вычисляем мощность резистора: Берем материал - хром: Руд = 0,08 Вт/мм2 Вычисляем минимальную площадь резистора: Коэффициент формы: Вычисляем минимальную ширину резистора: Вычисляем длину резистора: Расчет микрополосковой линии передачи Вычисляем d: Так как d > 2,21, то w/h: Вычисляем ширину МПЛ: Сл-но: 6. Определим суммарную мощность, выделяемую микросхемами.В данной курсовой работе был разработан модуль МШУ на микросхеме HMC716LP3Е.
План
Содержание
1. Введение
2. Анализ задания на проектирование
3. Выбор комплектующих элементов, материалов и покрытий
4. Разработка электрической принципиальной схемы устройства
5. Разработка конструкции микрополосковой платы и тонкопленочной микросборки