Критерии выбора типа транзистора для усилительного каскада (напряжение между коллектором и эмиттером). Расчет режима работы по постоянному и переменному току, значений резисторов, конденсаторов, индуктивностей. Ознакомление с программой Micro Cap 8.
Аннотация к работе
Целью данного курсового проекта является изучение методики постановки задачи при проектировании электрических принципиальных схем на полупроводниковых приборах, составления технического задания на проектируемое устройство, получение навыков поэтапного комплексного схемотехнического проектирования электрических узлов, приобретение опыта использования современных информационных технологий и систем имитационного моделирования.Согласно варианта задания выбрана схема двухкаскадного усилителя с непосредственной связью по схеме ОЭ-ОЭ (Рис. Основным критерием выбора типа транзистора для усилительного каскада служит допустимое напряжение между коллектором и эмиттером UКЭ, которое определяется из условия Максимальный ток коллектора транзистора должен превышать рабочий ток каскада Рабочую точку выбираем при токе коллектора 22,5 МА, напряжении коллектор - эмиттер 9 В. Ток, проходящий через резистор RЭ2, определяется суммой коллекторного и базового токовТак как коэффициент усиления по напряжению мал, то необходимо его увеличить. Для этого устанавливаем шунтирующие конденсаторы СЭ1 и СЭ2, которые устраняют обратную связь по переменному напряжению и поэтому увеличивают коэффициент усиления каскада. Коэффициент усиления возрастет до значенияНа рисунке 5 представлен выбор транзистора. На рисунке 6 представлено окно параметров транзистора КТ312В с графиком семейства выходных характеристик. При расчете параметров по постоянному току получены результаты, представленные на рисунке 7. Для показа потребляемой мощности нажимается соответствующая кнопка меню и результат отражен на рисунке 8. При расчете параметров по переменному току получены результаты, представленные на рисунке 9.При выполнении данного курсового проекта изучены методики постановки задачи при проектировании электрических принципиальных схем на полупроводниковых приборах, составления технического задания на проектируемое устройство, получены навыки поэтапного комплексного схемотехнического проектирования электрических узлов, приобретен опыт использования современных информационных технологий и систем имитационного моделирования.
План
СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
АНАЛИТИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ
1. Выбор схемы электронного устройства в зависимости от заданных параметров
2. Выбор транзистора по граничной частоте, максимальному напряжению коллектор - эмиттер и максимальному току коллектора
3. Расчет режима работы транзистора по постоянному току и выбор пассивных элементов схемы: резисторов, конденсаторов, индуктивностей
4. Расчет схемы по переменному току, состоящий из определения коэффициента усиления, входного и выходного сопротивления каскада
5. Расчет номинальных значений пассивных и частотозадающих элементов схемы
6. Замена расчетных значений пассивных элементов значениями из ряда Е24
7. Проверочный расчет режима работы электронной схемы
8. Моделирование работы схемы в среде Micro Cap 8
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ
Вывод
При выполнении данного курсового проекта изучены методики постановки задачи при проектировании электрических принципиальных схем на полупроводниковых приборах, составления технического задания на проектируемое устройство, получены навыки поэтапного комплексного схемотехнического проектирования электрических узлов, приобретен опыт использования современных информационных технологий и систем имитационного моделирования.
В данном курсовом проекте разработана схема двухкаскадного усилителя с непосредственной связью.
Список литературы
1. Игумнов Д.В. Полупроводниковые приборы непрерывного действия. - М.: Радио и связь, 1990. - 256 с.
2. Методические указания к курсовому проектированию по дисциплине "Основы схемотехники" / Липецк: МИКТ; Сост. В. Л. Челядин, 2007. - 54 с.
3. Пряшников В.А. Электроника [Текст]: Полный курс лекций. - 4-е изд. - СПБ.: Корона принт, 2004. - 416 с.
4. Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам / Н. И. Горюнов. - М.: Энергия, 1985. - 903 с.
5. Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. - М.: Энергия, 1988. - 608 с.