Плотность обратного тока диода Шотки на основе структуры "алюминий-кремний" при обратном смещении. Концентрация электронов в кремнии при заданной температуре. Потенциальный барьер за счет эффекта Шотки, его высота. Ток насыщения и площадь контакта.
Аннотация к работе
Задание: Диод Шотки на основе структуры алюминий-кремний при обратном смещении 8В имеет плотность обратного тока А/см 1) Определить изменение потенциального барьера за счет эффекта Шотки при U=8В. 2) Определить высоту барьера Шотки.