Рассмотрен опыт разработки и расчета основных характеристик усилительных каскадов, а так же в активизации самостоятельной учебной работы студентов, пользоваться справочной литературой, определять параметры и эквивалентные схемы биполярных транзисторов.
Аннотация к работе
Цель курсовой работы состоит в закреплении знаний, полученных при изучении дисциплины «Схемотехника аналоговых электронных устройств», в получении опыта разработки и расчета основных характеристик усилительных каскадов, а так же в активизации самостоятельной учебной работы студентов, в развитии умений выполнять информационный поиск, пользоваться справочной литературой, определять параметры и эквивалентные схемы биполярных транзисторов, получить разностороннее представление о конкретных электронных элементах.Тип транзистора КТ301Ж Напряжение источника питания, Еп 15 ВПроектируемое устройство основано на биполярном транзисторе КТ301Ж. Транзистор типа КТ301Ж - кремниевый планарный n-p-n транзистор, предназначенный для усиления и генерирования колебаний частотой до 60 МГЦ. Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами. расчет параметры транзистор каскад Напряжение насыщения коллектор - эмиттер, В 3 10 1 10-5 Семейства входных и выходных характеристик: Семейства входных и выходных характеристик транзистора представлены на рисунках 1 и 2.Для описания свойств транзистора используют входные и выходные семейства характеристик. Входной характеристикой называется зависимость входного тока от входного напряжения при постоянном выходном напряжении. Выходной статической характеристикой называется зависимость выходного тока от напряжения между выходными электродами транзистора при постоянном входном токе. Нагрузочная прямая по постоянному току строится в соответствии с уравнением: , где Еп - напряжение питания, Uкэ - напряжение коллектор-эмиттер, Ік - ток коллектора, Rk - сопротивление цепи коллектора, Rэ - сопротивление эмиттера. Рассчитаем напряжение коллектор-эмиттер в рабочей точке: По рисунку 3 определяем, что ток коллектор-эмиттер в рабочей точке равенРассчитаем сопротивления делителя RБ1, RБ2 в цепи базы. Согласно закону Ома, сопротивление резистора: Положим: Тогда: Номинальное значение: Пересчитаем ток делителя: Рассчитаем сопротивление резистора : Номинальное значение: Табл.4 Параметры цепи делителя: Название параметра Значение параметраПо статическим характеристикам транзистора можно определить три из четырех h-параметров: входное сопротивление , статический коэффициент передачи тока базы транзистора и выходную проводимость . Входное сопротивление при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора (=const) определяют по входным характеристикам транзистора. Для этого зададим приращение напряжения база-эмиттер симметрично относительно рабочей точки и определим соответствующее приращение тока базы (рис. Статический коэффициент передачи тока базы транзистора при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора (UКЭ = const) определяют по выходным характеристикам транзистора. Для нахождения параметра необходимо задать приращение тока базы и определить соответствующее приращение тока коллектора ?IК (рис.Рассчитаем физические малосигнальные параметры П-образной схемы замещения биполярного транзистора (рис. Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база Напряжение коллектор-база рассчитаем по следующей формуле: , где Сопротивление эмиттерного перехода транзистора для тока эмиттера Сопротивление эмиттерного перехода транзистора для тока базыКоэффициент усиления по напряжению: Коэффициент усиления по току: Коэффициент усиления по мощности: Входное сопротивление каскада: Выходное сопротивление каскада: Табл. Коэффициент усиления по напряжению 99,35Построим нагрузочную прямую по переменному току, которая будет проходить через рабочую точку и точку B (рис. Оценим максимальную амплитуду выходного напряжения каскада с учетом «подтягивания» рабочей точки к ближайшей выходной характеристике. Она будет равна меньшему из двух напряжений: напряжения в рабочей точке и разности (рис.
План
Оглавление
Введение
1. Основные параметры и характеристики
2. Выбор режима работы транзистора
3. Расчет делителя в цепи базы
4. Определение h-параметров усилителя по его статическим характеристикам
5. Расчет параметров элементов схемы замещения транзистора