Определение геометрических размеров и минимальной площади, занимаемой тонкопленочным резисторам на подложке. Электрофизические параметры обеспечения микросхем. Оценка преимуществ ситаллов перед стеклами. Техпроцессы фотолитографии и скрайбирования.
Аннотация к работе
Реферат по дисциплине: Тонкопленочная электроника на тему: Расчет и проектирование тонкопленочных ГИСКонструктивный расчет тонкопленочных резисторов заключается в определении формы, геометрических размеров и минимальной площади, занимаемой резисторами на подложке. 1) Определяем оптимальное с точки зрения минимума площади под резисторами ГИС сопротивление квадрата резистивной пленки: 2) Выбираем материал резистивной пленки с удельным сопротивлением, ближайшим по значению к вычисленному: Кермет К-50С (ЕТО.021.013 ТУ), его параметры: 3) Произведем проверку правильности выбранного материала с точки зрения точности изготовления резисторов: 4) Определяем конструкцию резисторов по значению коэффициента формы: 1.2 Обоснование выбора материала подложки высокой химической инертностью к осаждаемым материалам для снижения временной нестабильности параметров пленочных элементов, обусловленной физико-химическими процессами на границе раздела пленка-подложка и проникновением ионов из подложки в пленку; Материалы подложки и нанесенных на нее пленок должны иметь незначительно различающийся температурный коэффициент линейного расширения для обеспечения достаточно малых напряжений в пленках, вызывающих их отслаивание и растрескивание при охлаждении подложки после нанесения пленочных элементов. Совокупность технологических операций, составляющих маршрут производства тонкопленочных гибридных микросхем, направлена на подготовку поверхности подложки, нанесение пленок на подложку и формирование конфигураций тонкопленочных элементов, монтаж и сборку навесных компонентов, защиту и герметизацию изделия от внешних воздействий.По заданной принципиальной схеме произведен расчет тонкопленочных элементов.