Классификация, структура, принцип работы, обозначение и применение полупроводниковых диодов, их параметры. Расчет вольтамперных характеристик при малых плотностях тока. Особенности переходных характеристик диодов с р-базой. Методы производства диодов.
Аннотация к работе
Силовая электроника первоначально возникла как область техники, связанная преимущественно с преобразованием различных видов электроэнергии на основе использования электронных приборов. В дальнейшем достижения в области полупроводниковых технологий позволили значительно расширить функциональные возможности, силовых электронных устройств и соответственно области их применения. Однако, несмотря на интенсивное расширение функций аппаратов силовой электроники и областей их применения основные научно-технические проблемы и задачи, решаемые в области силовой электроники, связаны с. преобразованием электрической энергии. Электроэнергия используется в разных формах: в виде переменного тока с частотой 50 Гц (за исключением США и некоторых других стран, где за основную принята частота 60 Гц) в виде постоянного тока (свыше 20% всей вырабатываемой электроэнергии), а также переменного тока повышенной частоты или токов специальной формы (например, импульсной и др.). Разнообразие в видах потребляемой и вырабатываемой электроэнергии вызывает необходимость ее преобразования.Полупроводниковый диод - это полупроводниковый прибор с одним выпрямляющим электрическим переходом и двумя выводами, в котором используется то или иное свойство электрического перехода. В качестве выпрямляющего электрического перехода в полупроводниковых диодах может быть электронно-дырочный переход, гетеропереход или выпрямляющий переход, образованный в результате контакта между металлом и полупроводником (переход Шотки). В диоде с p-n переходом или с гетеропереходом кроме выпрямляющего перехода должно быть два омических перехода, через которые p-и n-области диода соединены выводами (рис. Поэтому при полярности внешнего напряжения, при которой происходит понижение потенциального барьера в p-n переходе, то есть при прямом направлении для p-n перехода, количество носителей заряда, инжектированных из сильнолегированной в слаболегированной область, значительно больше, чем количество носителей, проходящих в противоположном направлении. Если к диоду с несимметричным p-n переходом приложено напряжение, при котором происходит повышение потенциального барьера в p-n переходе, то есть в обратном направлении для p-n перехода, то экстракция неосновных носителей заряда будет происходить в основном из базы диода.Бывают диоды из различных полупроводниковых материалов, предназначенные для низких или высоких частот, для выполнения различных функций и отличающиеся друг от друга по конструкции. Полупроводниковым диодом называется устройство, состоящее из кристалла полупроводника, содержащее обычно один p-n переход и имеющее два вывода. Классификация диодов производится по следующим признакам: 1) По конструкции: - плоскостные диоды; У точечных диодов линейные размеры, определяющие площадь n - перехода, такие же, как толщина перехода, или меньше ее. Точечные диоды имеют малую емкость n - перехода (обычно менее 1 ПФ) и поэтому применяются на любых частотах вплоть до СВЧ.При повышении температуры растет собственная электропроводность проводника (увеличивается генерация пар носителей заряда электрон-дырка), растет ток насыщения и растет вероятность пробоя p-n перехода. Обычно за допустимое обратное напряжение принимается величина: где - напряжение, при котором возникает пробой p-n перехода. Последнее объясняется тем, что напряженность поля p-n перехода, а значит и напряжение пробоя зависят от ширины перехода, которая в свою очередь зависит от концентрации примесей, т.е. от удельного сопротивления полупроводника. Так как величины обратных сопротивлений диодов не одинаковы, то обратные напряжения при последовательном включении распределяются между диодами неравномерно и диод, имеющий большее обратное сопротивление, может быть пробит. Во избежание этого каждый из последовательно включенных диодов шунтируют сопротивлением такой величины, чтобы распределение напряжений на диодах в основном определялось этими сопротивлениями.Силовой (мощные) полупроводниковый выпрямительный диод (далее просто диод) представляет собой полупроводниковую структуру, состоящую из двух граничащих между собой слоев полупроводника дырочного р-и электронного n-типов, образующих один электронно-дырочный переход (рис. Стороны слоев полупроводниковой структуры, противоположные сторонам, образующим р-n-переход, соединены с металлическими контактами, образующими внешние контактные выводы диода. Кремниевые диоды, в результате того, что Si имеет большую ширину запрещенной зоны [1] , имеют во много раз меньшие обратные токи, но большее прямое падение напряжения, т.е. при равной мощности, отдаваемой в нагрузку, потеря энергии у кремниевых диодов будет больше. В зависимости от полярности приложенного к внешним выводам диода напряжения он может находиться в одном из двух устойчивых состояний: непроводящем состоянии (р-n переход смещен в обратном направлении) и проводящем состоянии (р-n переход смещен в прямом направлении), при условии, что значения приложенного напряжения и протекающего тока будут находиться в допустимых
План
СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ 2
1 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ 4
1.1 Классификация и условные обозначения полупроводниковых диодов. 6