Радіовимірювальні прилади, вимоги до них з позиції сучасних напрямів розвитку радіоелектроніки. Розробка нелінійних математичних моделей генераторів прямокутних імпульсів і лінійно змінної напруги на польовій та біполярній транзисторних структурах.
Аннотация к работе
Автореферат дисертації на здобуття наукового ступеня кандидата технічних наук Радіовимірювальні прилади на основі ємнісного ефекту в транзисторних структурах з відємним опоромРоботу виконано у Вінницькому національному технічному університеті Міністерства освіти і науки України. Науковий керівник: доктор технічних наук, професор Осадчук Олександр Володимирович, Вінницький національний технічний університет, завідувач кафедри радіотехніки Офіційні опоненти: доктор технічних наук, професор, заслужений діяч науки і техніки Філинюк Микола Антонович, Вінницький національний технічний університет, завідувач кафедри проектування компютерної та телекомунікаційної апаратури доктор технічних наук, доцент Бондарєв Андрій Петрович, Національний університет «Львівська політехніка», професор кафедри теоретичної радіотехніки та радіовимірювань Захист відбудеться «15» жовтня 2010 р. о 12.00 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 05.052.02 у Вінницькому національному технічному університеті за адресою: 21021, м.Конструкторське виконання фільтрів, фазообертачів, помножувачів частоти та імпульсних генераторів можна значно спростити за рахунок використання ємнісного ефекту в транзисторних структурах з відємним опором. Дослідження реактивних властивостей транзисторів і транзисторних схем з відємним опором були проведені професором Осадчуком В.С., розробка теорії мікроелектронних частотних перетворювачів фізичних величин на основі транзисторних структур з відємним опором та їх метрологічних характеристик була виконана професором Осадчуком О.В., теорія приладів з негатронами та оцінка метрологічних характеристик й ефективності пристроїв автоматики на їх основі були розроблені професором Філинюком М.А., розробка теорії створення та дослідження частотно-імпульсних і радіо-імпульсних логічних і операційних елементів цифрової техніки була виконана професором Кичаком В.М. При цьому, на базі конкретного схемотехнічного рішення, залежно від поставленого завдання, можна реалізувати електрично керовані еквівалентні ємності на біполярній, біполярній статично індукованій, польовій, та біполярно-польовій транзисторних структурах з відємним опором. Вперше розроблено математичні моделі радіовимірювальних приладів з електричним керуванням на основі ємнісного ефекту біполярної, польової та біполярно-польової транзисторних структур з відємним опором, які, на відміну від наявних, дають можливість розрахувати їхній повний опір залежно від зміни напруг живлення й керування. У наукових працях, які написані в співавторстві, здобувачем: розроблено математичну модель генератора прямокутних імпульсів на польовій транзисторній структурі [1] та його схемотехнічну реалізацію [22]; отримано співвідношення для визначення основних енергетичних параметрів і характеристик [2] та результати експериментальних досліджень [11] електрично керованого еквіваленту ємності на біполярно-польовій транзисторній структурі з відємним опором; отримано аналітичні співвідношення ємнісного складника повного опору [4] та запропоновано схемотехнічне рішення оптично керованого генератора електричних коливань на основі НЕМТ-транзисторної структури з відємним опором [19]; отримано аналітичні співвідношення другої і третьої гармонік струму активного елементу помножувача частоти у режимах подвоєння і потроєння частоти на польовій [5], біполярній [8] та на біполярно-польовій [6] транзисторних структурах з відємним опором; запропоновано нелінійну апроксимацію статичної ВАХ біполярної транзисторної структури [7] та її схемотехнічні реалізації - базову [21] і з розширеними функціональними параметрами [24]; визначено повний опір [10] та отримано математичну модель [12] електрично керованої еквівалентної ємності на біполярній транзисторній структурі з відємним опором; отримано експериментальні залежності частоти генерації від величини освітлення генераторного перетворювача та чутливості частоти генерації від зміни величини освітлення оптичного генераторного перетворювача на основі аналогу інжекційно-польового транзистора [14]; запропоновано апроксимацію статичної ВАХ НВЧ генератора [15]; розроблено схемні рішення активних фільтрів високих та низьких частот на біполярно-польовій [9, 17] та польовій [13, 18] транзисторних структурах з відємним опором; запропоновано схемотехнічне рішення оптичного вимірювача концентрації газу з використанням біполярно-польової транзисторної структури з відємним опором [20]; запропоновано схемотехнічні рішення електрично керованих мікроелектронних помножувачів частоти, використовуючи ємнісний ефект в біполярній [23] та біполярно-польовій [25] транзисторних структурах, і фазообертачів діапазону НВЧ на польовій [26] та біполярно-польовій [27] транзисторних структурах з відємним опором.