Выбор и обоснование конструктивно-технологического исполнения гибридной интегральной микросхемы. Расчет элементов и выбор навесных компонентов. Разработка и обоснование технологического маршрута изготовления ИМС. Очистка поверхности и контроль подложек.
Аннотация к работе
Производство гибридной интегральной микросхемы генератораИнтегральная микросхема - это конструктивно законченное изделие электронной техники, выполняющее определенную функцию преобразования информации и содержащее совокупность электрически связанных между собой электрорадиоэлементов (ЭРЭ), изготовленных в едином технологическом цикле. В пленочных интегральных микросхемах пассивные ЭРЭ изготовлены в виде совокупности тонких (менее 1 мкм) или толстых (10-50 мкм) пленок, нанесенных на диэлектрическую подложку. Гибридные интегральные микросхемы (ГИС) представляет собой комбинацию пленочных ЭРЭ с миниатюрными безкопусными дискретными приборами (полупроводниковыми интегральными микросхемами, транзисторами, диодами), расположенных на общей диэлектрической подложке. ЭРЭ, которые являются неотъемлемой составной частью интегральной микросхемы и не могут быть выделены из нее как самостоятельное изделие, называют элементами интегральной микросхемы, а дискретные активные ЭРЭ ГИС - навесными компонентами (или просто компонентами), подчеркивая тем самым, что их изготавливают отдельно в виде самостоятельных приборов, которые могут быть приобретены изготовителем ГИС как покупные изделия. В совмещенных интегральных микросхемах, активные ЭРЭ выполнены в приповерхностном слое полупроводникового кристалла (как у полупроводниковой интегральной микросхемы), а пассивные нанесены в виде пленок на покрытую диэлектриком поверхность того же кристалла (как у пленочной интегральной микросхемы).Схема электрическая принципиальная и схема включения микросхемы приведены на рисунках 1.1 и 1.2 соответственно Рисунок 1.1 Схема электрическая принципиальная. Если в это гнездо вставить просто перемычку или стереотелефоны, или резистор другого сопротивления, ничего не произойдет, электромагнит фиксации дверной задвижки тайника не сработает и он останется запертым. В результате транзисторы VT1 и VT2 окажутся закрытыми, в свою очередь, транзисторы VT3 и VT4 также окажутся закрытыми. Если условие балансировки моста не выполняется, в его диагонали появится напряжение, которое приведет к открыванию одного из транзисторов VT1 или VT2, ток коллектора VT2 или VT3 откроет транзистор VT4 и на его коллекторе установится напряжение близкое к логическому нулю. Исполнительное устройство состоит из триггера на микросхеме DD1 и транзисторного ключа на транзисторах VT5 и VT6, в коллекторной цепи которого включена обмотка электромагнита блокировки замка или электромагнитного реле, управляющего запирающим устройством тайника.Согласно ГОСТ 18725-73, ОТУ содержат требования к электрическим параметрам, конструкции, устойчивости к механическим и климатическим воздействиям, надежности, долговечности и сохраняемости. Электрические параметры ИМС при изготовлении, хранении и эксплуатации в режимах и условиях, допускаемых в технической документации на ИМС конкретных типов, должны соответствовать определенным нормам. Габаритные и присоединительные размеры, внешний вид и масса ИМС должны соответствовать требованиям, установленным в технической документации на ИМС конкретных типов. ИМС должны сохранять параметры в пределах норм, установленных технической документацией в соответствии с группой жесткости согласно ГОСТ 16962-71 в процессе и после воздействия механических нагрузок: вибрационных с частотой 1 - 2000 Гц и максимальным ускорением 10 - 20 g, многократных ударов длительностью 2 - 6 мс с ускорением 75-150 g, линейных нагрузок с максимальным ускорением 25-2000 g. ИМС должны сохранять параметры в пределах норм, установленных технической документацией, в процессе и после воздействия на них следующих климатических факторов: температуры воздуха с верхними значениями 55, 70, 85, 100, 125, 155 и нижними значениями - 10, - 25, - 40, - 45, - 55, - 60 , изменения температур от верхнего предела до нижнего; относительной влажности 98% при температуре 35 . ИМС должны допускать эксплуатацию после их транспортировки при температуре - 50 . ИМС в корпусном исполнении, предназначенные для эксплуатации в условиях тропического климата, должны быть устойчивыми к длительному воздействию влаги, соляного тумана, и среды, зараженной плесневыми грибами.По конструктивно-технологическом исполнении, ИМС подразделяют на три большие группы: полупроводниковые, гибридные и прочие (рисунок 3.1). Классификация ИМС по степени интеграции представлена в таблице 3.1. В большинстве случаев микросхему можно реализовать любым из существующих конструктивно-технологических способов, но ее изготовление наиболее целесообразно и экономично при использовании какого-то определенного варианта.
План
Оглавление
Введение
1. Аналитический обзор
2. Разработка технических требований на микросхему
3. Выбор и обоснование конструктивно-технологического исполнения микросхемы